Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 77 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

77
2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значе-
нием следует из соотношения
()
вх max б б н э н бэ.нас
,
i
U
IR I R R U
=+ ++
и имеет вид
()
выхОУmax бэ.нас н э н
бз з б.доп
б
.
,
ii
ii
UUIRR
IK K I
R
−− +
=⋅≤
(3.17)
где K
зi
= 1,1...1,3 – коэффициент запаса по току; I
б.доп
– максимально
допустимое значение тока базы (из паспортных данных транзистора).
Из соотношения (3.17) следует функциональная зависимость R
б
= R
б
(R
э
)
()
выхОУmax бэ.нас н э н
бз
б.доп
.
ii
i
UUIRR
RK
I
−−+
≥
(3.18)
3. Условие требуемого входного сопротивления каскада получаем из
соотношения
()
вх б б бэ н э н
,
ii
IR U I R R=++ +
представив его в виде
()
вх бэ н
бээн
ббб
,
i
i
U
UI
RRRR
III
=+ + +
(3.19)
где
вх
вх
б
U
R
I
=−
входное сопротивление каскада;
бэ
вх
б
VT
U
R
I
=−
входное
сопротивление транзистора, определяемое по входной характеристике
I
б
(U
бэ
) либо приближенно
бэ.нас
вх
б.нас
VT
U
R
I
=
. Учитывая, что
()
нб
1
i
II
=β+
,
приводим соотношение (3.19) к виду
()()
вх б вх э н вх.треб
β1 ,
VT i
RRR RR R
=+ + + ⋅+≥
(3.20)
где R
вх.треб
= R
нОУmin доп
– минимально допустимое значение сопротивле-
ния нагрузки операционного усилителя (из паспортных данных).
Из соотношения (3.20) следует функциональная зависимость R
б
= R
б
(R
э
)
()()
б нОУmin доп вх э н
β1.
VT i
RR R RR
≥−−++
(3.21)

Страницы