Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

79
которого U
выхОУmax
= 10 В; минимально допустимое значение сопро-
тивления нагрузки R
нОУmin доп
= 1000 Ом. Поскольку данные о внут-
реннем сопротивлении микросхемы отсутствуют, то для расчетов при-
нимаем R
внОУ
= 50 Ом.
В соответствии с методикой выбора транзисторов, изложенной в
подразд. 3.1, для предварительного усилителя выбираем комплиментар-
ную пару транзисторов КТ502Б, КТ503Б, основные параметры которых
показаны в табл. 3.1.
С учетом числовых значений соотношения (3.16), (3.18), (3.21), (3.22),
(3.23), (3.25) принимают следующий вид:
условие 1
()
выхОУmax
бэ.нас
з
бэнmin
н
ээ
β1
10
0,8
1, 2
581366381 ;
0,15
U
i
i
U
U
K
RRR
I
RR

−


≤−−+=




−

=−−⋅=−⋅




условие 2
()
()
выхОУmax бэ.нас н э н
бз
б.доп
э
э
10 0,8 0,15 5
1,2 101,4 9 ;
0,1
ii
i
UUIRR
RK
I
R
R
−−+
≥=
−− +
==−
условие 3
бэ.нас
вх
б
0,8
800 Ом ,
0,001
VT
U
R
I

===


()()
()
бнОУminдопвх эн
ээ
β1
1000 800 5 81 205 81 ,
VT i
RR R RR
RR
≥−−++=
=−−+=−−
т. е. условие вырождается в
б
0
R
≥
.

Страницы