Конструирование РЭС. Шляпников Н.С. - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

Вопросы стыковки микрополосковых узлов приобретают все большее значение с
увеличением рабочих частот в гигагерцовом диапазоне. Чем качественнее и точнее
обеспечивается совмещение микрополосковых линий в зазоре /, в плане AW по высоте Ah
(рис. 4.16 а,б,в), тем меньше возникает паразитных отражений волн в линии, тем меньше
коэффициент стоячей волны К по напряжению и тем выше коэффициент передачи
мощности при одинаковом волновом сопротивление
Z
B
микрополосковой линии. Так, в
сантиметровом диапазоне волн геометрическая стыковка МСБ должна обеспечиваться с
точностью ±100 мкм, а в миллиметровом ±50 мкм (рис. 4.16).
Рис 4 16. Причины и погрешности геометрической стыковки в микросборках СВЧ при
зазоре между ними (а, г), при ошибке совмещения МСБ в плане (б, д) и по высоте (в,е);
1 — микросборка; 2 — соединительная перемычка; 3 — основание-поддон
4.4. Влияние объема и формы блоков РЭС на показатели качества конструкции
В зависимости от назначения, уровня интеграции и объекта установки объем и форма
блоков РЭС могут быть различными: объем обычно меняется от одной десятой до
нескольких десятков кубических дециметров, а форма может быть плоской, кубической,
прямоугольной или цилиндрической.
От этих двух параметров конструкций блоков в сильной степени зависят такие
показатели качества, как допустимая у дельная мощность рассеяния (тепловая
напряженность) и вибропрочность, во многом определяемая собственной частотой
конструкции. Как качественно влияют первые на вторые, известно каждому
конструктору: конструктив с меньшим объемом допускает большую тепловую
напряженность, чем конструктив с большим объемом; конструктив более плоской формы
способен выдержать большую мощность рассеяния, чем куб при равенстве объемов, а
показатели вибропрочности при этом будут намного хуже. Это, казалось бы, можно
подтвердить и с помощью формул. Например, удельная мощность рассеяния Р
уд расc
=
P
pacc
/V должна зависеть обратно пропорционально от объема, и поэтому если кристалл
ИС с объемом в 1 мм
3
способен рассеивать 40 мВт, т.е. Р
уд расс
= 40-10
3
Вт/дм
3
, то блок
РЭС, имеющий объем 1 дм
3
т.е. в 10
6
раз больший , должен иметь допустимую тепловую
напряженность всего 0,04 Вт/дм
3
. Результаты же эксперимента, приведенные в работе,
дают значение этой величины 10 Вт/дм
3
, т.е. в 250 раз больше. Значит, формальный

Страницы