Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 56 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

56
квазистатическом (при непрерывном нагреве), фиксируя при
определенных малых изменениях
!
температуры изменения напряжений .
Режим измерения и соответствующие приращения температуры
выбираются по указанию преподавателя . Вдали от температуры Т
с
фазового перехода ∆Т может быть порядка 4-5 градусов . При приближении
к Т
с
приращение должно быть ~ 0,1 - 0,2 К в соответствии с резким
увеличением пиронапряжения .
7. По полученным результатам построить температурную зависимость
пирокоэффициента γ ( Т ) для кристалла ТГС.
8. Вычислить значение спонтанной поляризации Р путем
интегрирования графика зависимости γ (Т ) и построить зависимость Р( Т ). 
                                    56

кв азистатическом (при непрерыв ном нагрев е),          фиксиру я       при
                                    !
опред еленных малых изменениях температу ры изменения напряжений.
Режим измерения и соотв етств у ю щ ие приращ ения температу ры
в ыбираю тся по у казанию препод ав ателя. В д али от температу ры Тс
фазов ого перех од а ∆Т может бытьпоряд ка 4-5 град у сов . При приближении
к Тс приращ ение д олжно быть ~ 0,1 - 0,2 К в соотв етств ии с резким
у в еличением пиронапряжения.
      7. По полу ченным резу льтатам построитьтемперату рну ю зав исимость
пирокоэффициентаγ(Т ) д ля кристалла Т ГС.
      8. В ычислить значение спонтанной поляризации Р пу тем
интегриров ания графика зав исимостиγ(Т ) ипостроитьзав исимостьР(Т).

Страницы