Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

58
правило , возрастает ) при облучении полупроводника светом или
электронами высокой энергии, а также при инжекции носителей тока из
подходящего металлического контакта.
Таким образом , свойства и сегнетоэлектриков , и полупроводников
сильно зависят от примесей . Примеси меняют ширину запрещенной зоны
Е
g
. Куда отнести такой кристалл – к сегнетоэлектрикам или
полупроводникам , становится все труднее. С момента открытия
сегнетоэлектричества у относительно высокочувствительных
фотопроводников типа A
V
B
V1
C
VП
(например, у SbSJ с E
g
~ 2 эВ ) и
фотопроводимости у перовскитов физика сегнетоэлектриков -
полупроводников представляет собой новую и самостоятельную область
твердого тела , имеющую теоретический и прикладной интерес.
Сегнетоэлектрические кристаллы с ярко выраженными
полупроводниковыми свойствами представляют собой прекрасный объект
как для дальнейшего исследования сегнетоэлектричества, так и для
исследования явлений в новом классе полупроводников , претерпевающих
фазовый переход .
Все ранее исследовавшиеся сегнетоэлектрики были типичными
диэлектриками с относительно широкой запрещенной зоной и ничтожной
концентрацией свободных носителей заряда, обладающих весьма малой
подвижностью . Благодаря фоточувствительности концентрация носителей
заряда в сегнетоэлектриках - полупроводниках может непрерывно меняться
от малых до больших значений , что дает возможность непрерывно
проследить вклад электронов в такие явления , как фазовое превращение,
экранирование спонтанной поляризации, процессы переключения ,
формирование доменной структуры и др.
Cвободная энергия сегнетоэлектрика-полупроводника
Одной из особенностей сегнетоэлектриков - полупроводников
является влияние электронов на основные термодинамические функции и
на их поведение вблизи температуры Кюри . С экспериментальной точки
зрения наиболее интересно влияние неравновесных электронов на фазовые
переходы в сегнетоэлектриках . Такие фазовые переходы получили в
литературе название фотостимулированных , а явления , связанные с ними,
– фотосегнетоэлектрических . Фотостимулированные фазовые переходы и
вообще влияние электронов на фазовые переходы не являются спецификой
одних только сегнетоэлектриков , а характерны для всех полупроводников , 
                                     58

прав ило, в озрастает) при облу чении полу пров од ника       св етом      или
электронами в ысокой энергии, а также при инжекции носителей тока из
под х од ящ его металлического контакта.
      Т аким образом, св ойств а и сегнетоэлектриков , и полу пров од ников
сильно зав исят от примесей. Примеси меняю т ширину запрещ енной зоны
Е g . К у д а отнести       такой кристалл – к сегнетоэлектрикам или
полу пров од никам, станов ится в се тру д нее. С момента открытия
сегнетоэлектричеств а        у      относительно      в ысокочу в ств ительных
                             V V1 VП
фотопров од ников типа A B C           (например, у SbSJ с Eg ~ 2 эВ ) и
фотопров од имости        у    перов скитов    физика     сегнетоэлектриков -
полу пров од ников пред став ляет собой нов у ю и самостоятельну ю область
тв ерд ого тела, имею щ у ю теоретический и приклад ной интерес.
      Сегнетоэлектрические        кристаллы      с    ярко     в ыраженными
полу пров од ников ыми св ойств ами пред став ляю т собой прекрасный объ ект
как д ля д альнейшего исслед ов ания сегнетоэлектричеств а, так и д ля
исслед ов ания яв лений в нов ом классе полу пров од ников , претерпев аю щ их
фазов ый перех од .
      В се ранее исслед ов ав шиеся сегнетоэлектрики были типичными
д иэлектриками с относительно широкой запрещ енной зоной и ничтожной
концентрацией св обод ных носителей заряд а, облад аю щ их в есьма малой
под в ижностью . Благод аря фоточу в ств ительности концентрация носителей
заряд а в сегнетоэлектриках -полу пров од никах может непрерыв но меняться
от малых д о больших значений, что д ает в озможность непрерыв но
прослед ить в клад электронов в такие яв ления, как фазов ое прев ращ ение,
экраниров ание спонтанной поляризации, процессы переклю чения,
формиров аниед оменной стру к ту ры и д р.

            Cво бо дная э нерги я с егнето э лектри ка-п о луп ро во дни ка
     О д ной из особенностей сегнетоэлектриков - полу пров од ников
яв ляется в лияние электронов на основ ные термод инамические фу нкции и
на их пов ед ение в близи температу ры К ю ри. С экспериментальной точки
зрения наиболееинтересно в лияниенерав нов есных электронов на фазов ые
перех од ы в сегнетоэлектриках . Т акие фазов ые перех од ы полу чили в
литерату ре назв ание фотостиму лиров анных , а яв ления, св язанные с ними,
– фотосегнетоэлектрических . Ф отостиму лиров анные фазов ые перех од ы и
в ообщ ев лияниеэлектронов на фазов ыеперех од ы неяв ляю тся спецификой
од них только сегнетоэлектриков , а х арактерны д ля в сех полу пров од ников ,

Страницы