Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 62 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

62
Спонтанная поляризация – это поляризация (суммарный дипольный
момент единицы объема), существующая в кристалле без всяких внешних
воздействий .
В монодоменном кристалле все диполи параллельны друг другу.
Электроны уменьшают или , как говорят, экранируют диполь – дипольное
взаимодействие, что и приводит к уменьшению спонтанной поляризации.
Фотодеформационный эффект – это влияние неравновесных
электронов на деформацию сегнетоэлектрика. Впервые он наблюдался для
кристаллов SbSJ, имевших обычную форму игл. При освещении
монохроматическим светом в области собственной фоточувствительности
происходит деформация (удлинение) полидоменных кристаллов .
Оказалось, что фотодеформационный эффект имеет положительный знак ,
обращается в нуль вблизи точки Кюри и не наблюдается в
параэлектрической области, что подтверждает определяющую роль
спонтанной поляризации кристалла в возникновении
фотодеформационного эффекта.
Аналогичным образом исследуется влияние электронов на другие
характеристики фазовых переходов сегнетоэлектриков , такие, как
изменение скачка теплоемкости, диэлектрических , пиро–,
пьезоэлектрических и других свойств .
При освещении сегнетоэлектрика – полупроводника светом из
спектральной области его собственной фоточувствительности происходит
увеличение концентрации электронов (дырок ) в зоне n за счет
неравновесных носителей . Это, в свою очередь, приводит к росту
концентрации носителей в ловушках N. Связь между n и N в каждом
отдельном случае определяется параметрами ловушек , их энергией и
сечением захвата.
Аномалии ширины запрещенной зоны в области фазовых переходов
Физика полупроводников связывает определение E
g
с анализом
формы края собственного оптического поглощения . В сегнетоэлектриках
этот анализ представляет сложную самостоятельную задачу. Поэтому
исследование ширины запрещенной зоны в сегнетоэлектриках -
полупроводниках представляет интерес.
Как известно, ширина запрещенной зоны для большинства 
                                         62



      Спонтанная поляризация – это поляризация (су ммарный д ипольный
момент ед иницы объ ема), су щ еств у ю щ ая в кристалле безв сяких в нешних
в озд ейств ий.
      В монод оменном кристалле в се д иполи параллельны д ру г д ру г у .
Э лектроны у меньшаю т или, как гов орят, экраниру ю т д иполь – д ипольное
в заимод ейств ие, что и прив од ит к у меньшению спонтанной поляризации.

      Ф о т о де фо рм аци о нный эффе кт – это в лияние нерав нов есных
электронов на д еформацию сегнетоэлектрика. В перв ыеон наблю д ался д ля
кристаллов SbSJ, имев ших обычну ю форму игл. При осв ещ ении
монох роматическим св етом в области собств енной фоточу в ств ительности
происх од ит д еформация (у д линение) полид оменных              кристаллов .
О казалось, что фотод еформационный эффект имеет положительный знак,
обращ ается в ну ль в близи точки К ю ри и не наблю д ается в
параэлектрической области, что под тв ержд ает опред еляю щ у ю роль
спонтанной            поляризации       кристалла      в      в озникнов ении
фотод еформационного эффекта.
      А налогичным образом исслед у ется в лияние электронов на д ру гие
х арактеристики фазов ых перех од ов сегнетоэлектриков , такие, как
изменение          скачка       теплоемкости,   д иэлектрических ,     пиро–,
пьезоэлектрических и д ру гих св ойств .
      При осв ещ ении сегнетоэлектрика – полу пров од ника св етом из
спектральной области его собств енной фоточу в ств ительности происх од ит
у в еличение концентрации электронов (д ырок) в зоне n за счет
нерав нов есных носителей. Э то, в св ою очеред ь, прив од ит к росту
концентрации носителей в лов у шках N. Св язь межд у n и N в кажд ом
отд ельном слу чае опред еляется параметрами лов у шек, их энергией и
сечением зах в ата.

     Ано м али и ш и ри ны з ап ре щ е нно йз о ны в о бласт и фаз о выхп е ре хо до в
     Ф изика полу пров од ников св языв ает опред еление Eg с анализом
формы края собств енного оптического поглощ ения. В сегнетоэлектриках
этот анализ пред став ляет сложну ю самостоятельну ю зад ачу . Поэтому
исслед ов ание ширины запрещ енной зоны в сегнетоэлектриках -
полу пров од никах пред став ляет интерес.
     К ак изв естно, ширина запрещ енной зоны д ля большинств а

Страницы