Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 65 стр.

UptoLike

Рубрика: 

65
3. Измерить емкость схемы С
о
. Для чего вместо исследуемого
образца в зажимы держателя поместить пластинку из
фторопласта. Установить на генераторе ГЗ-33 частоту 1 кГц
необходимое измерительное напряжение (напряженность
измерительного поля должна быть ~ 1 В /cм). Измерить это
напряжение с помощью вольтметра ВК7-9.
4. На экране индикатора нуля должна появиться прямая линия .
Уложить эту линию в пределах экрана с помощью ручки
чувствительности, находящейся справа от экрана и
имеющей деления от 0 до 10.
5. Вращая ручками "С
х
" и "D%" моста "Тесла ", свести прямую
линию в точку, затем , постепенно увеличивая
чувствительность, добиться точки на экране при
максимальной чувствительности.
6. Снять отсчеты С
х
и по лимбу "D%" - тангенса угла
диэлектрических потерь (tg δ). При этом обратить внимание
на положение ручки "множитель" для С
х
и ручки " +D%" для
tg δ.
7. Измерить площадь и толщину образца.
8. Вставить образец в зажимы держателя , установить
термометр рядом с образцом и поместить держатель в
измерительный стакан термостата.
9. Измерить емкость (С
изм .
) и tg δ с образцом . Емкость образца
найти как разность (С
изм .
С
о
). По формуле емкости
плоского конденсатора находится значение диэлектрической
проницаемости исследуемого образца:
х
C
S
d
=
9,04
π
ε
,
где d -толщина образца в см , S - площадь образца в см
2
,
С - емкость образца в пкФ .
10.Снять температурную зависимость ε и tg δ от комнатной
температуры до превышающей точку Кюри на ~ 10
градусов .
11.Охладить образец до температуры ниже точки Кюри
примерно на 5 ÷ 10 градусов и снять температурные
зависимости ε и tg δ при освещении образца лампочкой ,
                         65



3. И змерить емкость сх емы Со. Д ля чего в место исслед у емого
   образца в зажимы д ержателя поместить пластинк у из
   фторопласта. У станов ить на генераторе ГЗ-33 частоту 1 кГц
   необх од имое измерительное напряжение (напряженность
   измерительного поля д олжна быть ~ 1 В /cм). И змерить это
   напряжениеспомощ ью в ольтметра В К 7-9.
4. Н а экранеинд икатора ну ля д олжна появ иться прямая линия.
   У ложить эту линию в пред елах экрана с помощ ью ру чки
   чу в ств ительности, нах од ящ ейся справ а от экрана и
   имею щ ей д еления от 0 д о 10.
5. В ращ ая ру чками "Сх " и "D%" моста "Т есла", св ести пряму ю
   линию         в  точку ,   затем,      постепенно у в еличив ая
   чу в ств ительность, д обиться точки на экране при
   максимальной чу в ств ительности.
6. Снять отсчеты Сх и по лимбу "D%" - тангенса у гла
   д иэлектрических потерь (tg δ). При этом обратить в нимание
   на положениеру чки "множитель" д ля Сх и ру чки " +D%" д ля
   tg δ.
7. И змеритьплощ ад ьи толщ ину образца.
8. В став ить образец в зажимы д ержателя, у станов ить
   термометр ряд ом с образцом и поместить д ержатель в
   измерительный стакан термостата.
9. И змерить емкость (Сизм.) и tg δ с образцом. Е мкость образца
   найти как разность (Сизм. – Со). По форму ле емкости
   плоского конд енсатора нах од ится значениед иэлектрической
   проницаемости исслед у емого образца:
                              4πd ⋅ 0,9
                           ε=           ⋅ Cх ,
                                  S
      гд е d -толщ ина образца в см, S - площ ад ь образца в см 2,
    С - емкостьобразца в пкФ .
10.Снять температу рну ю зав исимость ε и tg δ от комнатной
     температу ры д о прев ышаю щ ей точку К ю ри на ~ 10
     град у сов .
11.О х лад ить образец д о температу ры ниже точки К ю ри
     примерно на 5 ÷ 10 град у сов и снять температу рные
     зав исимости ε и tg δ при осв ещ ении образца лампочкой,