Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 66 стр.

UptoLike

Рубрика: 

66
находящейся в измерительной камере.
12.Построить полученные в эксперименте температурные
зависимости ε и tg δ с помощью компьютера на одном
графике . Оценить сдвиг точки Кюри в сегнетоэлектрике
полупроводнике под действием освещения .
13.Используя формулу (9), можно оценить концентрацию
электронов на уровнях прилипания , полагая , что при
данной интесивности освещения заполняются все ловушки.
Отчет по работе должен включать краткую теорию (0,5 ÷ 1,5
страницы ), постановку задачи, методику измерения , таблицы
экспериментальных данных , графики, необходимые расчеты и выводы.
                                   66

              нах од ящ ейся        в измерительной камере.
           12.Построить полу ченные в эксперименте температу рные
              зав исимости ε и tg δ с помощ ью компью тера на од ном
              графике . О ценить сд в иг точки К ю ри в сегнетоэлектрике –
              полу пров од никепод д ейств ием осв ещ ения.
           13.И спользу я форму лу (9), можно оценить концентрацию
              электронов на у ров нях прилипания, полагая, что при
              д анной интесив ности осв ещ ения заполняю тся в селов у шки.
     О тчет по работе д олжен в клю чать кратк у ю теорию (0,5 ÷ 1,5
страницы), постанов к у      зад ачи, метод ик у     измерения, таблицы
экспериментальных д анных , графики, необх од имыерасчеты и в ыв од ы.