Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

8
3 Экспериментальное наблюдение доменной структуры
Оптические индикатриссы доменов разного знака ТГС оказываются
одинаково ориентированными, что исключает возможность исследования
доменов чисто оптическими методами. Однако использование метода
травления (различные травители (например, вода) травят положительные
концы доменов сильнее, чем отрицательные), а затем наблюдение их в
косом свете позволяет видеть домены ТГС достаточно хорошо.
Доменная структура кристалла ТГС в большой степени зависит от
условий выращивания , наличия в кристалле дефектов и т. д . Для
большинства кристаллов , где воздействие посторонних факторов сведено к
минимуму, наблюдается чечевицеобразная доменная структура (рис.3).
Домены одной ориентации представляют собой поле (матрицу ), внутри
которого имеются домены противоположной ориентации.
Воздействие электрического поля и механических напряжений
изменяет картину доменов , которые после указанных воздействий из
стержней с чечевицеобразным сечением , параллельных полярному
направлению , превращаются в пластинки, параллельные
сегнетоэлектрической оси (рис.36). Следует отметить, что пластинчатая
доменная структура в ТГС не стабильна и под влиянием , например,
теплового отжига, превращается в чечевицеобразную .
Одной из особенностей доменной структуры сегнетоэлектриков ,
часто встречающейся в кристаллах ТГС, является униполярность, которая
Рис.3. Типичная линзообразная (а) и полосатая (b)
доменная структура кристаллов ТГС
a
b
                                           8



          3 Э ксп е ри м е нт ально е наблю де ни е до м е нно йст рукт уры
       О птические инд икатриссы д оменов разного знака Т ГС оказыв аю тся
од инаков о ориентиров анными, что исклю чает в озможность исслед ов ания
д оменов чисто оптическими метод ами. О д нако использов ание метод а
трав ления (различные трав ители (например, в од а) трав ят положительные
концы д оменов сильнее, чем отрицательные), а затем наблю д ение их в
косом св етепозв оляет в ид етьд омены Т ГС д остаточно х орошо.
       Д оменная стру к ту ра кристалла Т ГС в большой степени зав исит от
у слов ий в ыращ ив ания, наличия в кристалле д ефектов и т.д . Д ля
большинств а кристаллов , гд ев озд ейств иепосторонних факторов св ед ено к
миниму му , наблю д ается чечев ицеобразная д оменная стру кту ра (рис.3).
Д омены од ной ориентации пред став ляю т собой поле (матрицу ), в ну три
которого имею тся д омены против оположной ориентации.
       В озд ейств ие электрического поля и мех анических напряжений
изменяет картину д оменов , которые после у к азанных в озд ейств ий из
стержней с чечев ицеобразным сечением, параллельных полярному
направ лению ,         прев ращ аю тся       в      пластинки,        параллельные




                                       a                                  b


                 Рис.3. Т ипичная линзообразная (а) и полосатая (b)
                         д оменная стру к ту ра к ристаллов Т ГС

сегнетоэлектрической оси (рис.36). След у ет отметить, что пластинчатая
д оменная стру кту ра в Т ГС не стабильна и под в лиянием, например,
теплов ого отжига, прев ращ ается в чечев ицеобразну ю .
      О д ной из особенностей д оменной стру кту ры сегнетоэлектриков ,
часто в стречаю щ ейся в кристаллах Т ГС, яв ляется у ниполярность, которая

Страницы