Практикум по спецкурсу "Физика сегнетоэлектриков". Часть 1. Сидоркин С.Д - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

9
проявляется в устойчивой преимущественной ориентации
доменов одного знака (рис.2). Ответственность за стабилизацию одного (из
двух возможных в ТГС) направлений спонтанной поляризации принято
возлагать на структурные несовершенства, наличие внутренних
смещающих полей в кристаллах .
Количественной характеристикой степени униполярности φ
является отношение разности площадей положительно (S
+
) и отрицательно
(S
-
) заряженных доменов к общей площади кристалла :
φ = (S
+
–S
-
)/(S
+
+S
-
) (2)
П .Практическая часть
1. Исследовать доменную структуру монокристаллов ТГС методом
травления.
Подготовить гладкую поверхность (кусочек стекла , зеркала , обтянутый
тонкой тканью ). На ткань нанести несколько капель дисциллированной
воды, затем на влажную часть ткани положить пластинку кристалла ТГС
(на 2÷5 секунд ) и сразу же немного пошлифовать на сухом участке ткани.
1.2. Выявленную таким образом доменную структуру оценивают вначале
визуально в отраженном свете и рассматривают на металлографическом
микроскопе типа "Мет 3" (описание и работу на микроскопе см . в
приложении).
1.3. Зарисовать доменную структуру , наблюдаемую как визуально, так и
под микроскопом , в тетрадь и оценить степень униполярности φ данного
образца кристалла ТГС по формуле (2).
2. Исследовать влияние температурного отжига (нагрев до 55 °С в
сушильном шкафу ) на доменную структуру кристалла ТГС. Исследовать
влияние различной скорости охлаждения кристалла на доменную
структуру .
3. Исследовать характер зависимости ширины доменов (d) от толщины
образца h (d~h
n
). Определить значение показателя степени "n". Для этого
на основе экспериментальных данных построить линейную зависимость
ln d = const + n ln h, по тангенсу угла наклона которой определить "n".
Измерения проводить на одном образце, меняя его толщину от 3 мм до 0,5
мм.
4. Исследовать влияние дефектов на доменную структуру пластинок
ТГС . Исследования проводить на образцах ТГС с различными примесями,
вводимыми в кристалл при выращивании или на образцах , подвергнутых 
                                         9

прояв ляется         в    у стойчив ой преиму щ еств енной       ориентации
д оменов од ного знака (рис.2). О тв етств енностьза стабилизацию од ного (из
д в у х в озможных в Т ГС) направ лений спонтанной поляризации принято
в озлагать на стру кту рные несов ершенств а, наличие в ну тренних
смещ аю щ их полей в кристаллах .
         К оличеств енной х арактеристикой степени у ниполярности φ
яв ляется отношениеразности площ ад ей положительно (S+) и отрицательно
(S-) заряженных д оменов к общ ей площ ад и кристалла:
                                 φ = (S+–S-)/(S++S-)                      (2)

                             П .П ракти ч ес кая ч ас ть
1. И сследо ват ь до м ен н у ю ст р у кт у р у м о н о кр ист алло в ТГС м ет о до м
т р авлен ия.
Под готов ить глад ку ю пов ерх ность (ку сочек стекла, зеркала, обтяну тый
тонкой тканью ). Н а ткань нанести несколько капель д исциллиров анной
в од ы, затем на в лажну ю часть ткани положить пластинку кристалла Т ГС
(на 2÷5 сек у нд ) и сразу женемного пошлифов атьна су х ом у часткеткани.
1.2. В ыяв ленну ю таким образом д оменну ю стру к ту ру оценив аю т в начале
в изу ально в отраженном св ете и рассматрив аю т на металлографическом
микроскопе типа "М ет 3" (описание и работу на мик роскопе см. в
приложении).
1.3. Зарисов ать д оменну ю стру к ту ру , наблю д аему ю как в изу ально, так и
под микроскопом, в тетрад ь и оценить степень у ниполярности φ д анного
образца кристалла Т ГС по форму ле(2).
2. И сследо ват ь влиян ие т ем пер ат у р н о го о т ж иг   а (нагрев д о 55 °С в
су шильном шкафу ) на д оменну ю стру кту ру кристалла Т ГС. И сслед ов ать
в лияние различной скорости ох лажд ения кристалла на д оменну ю
стру кту ру .
3. И сследо ват ь хар акт ер зависим о сти шир ин ы до м ен о в (d) о т т о лщин ы
о бр азца h (d~hn). О пред елить значение показателя степени "n". Д ля этого
на основ еэкспериментальных д анных построитьлинейну ю зав исимость
ln d = const + n ln h, по тангенсу у гла наклона которой опред елить"n".
И змерения пров од итьна од ном образце, меняя его толщ ину от 3 мм д о 0,5
мм.
4. И сследо ват ь влиян ие деф ект о в н а до м ен н у ю ст р у кт у р у пластин о к
ТГС . И сслед ов ания пров од ить на образцах Т ГС с различными примесями,
в в од имыми в кристалл при в ыращ ив ании или на образцах , под в ергну тых

Страницы