Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 10 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

логического процесса формирования структуры транзистора представлены на

рис. 1.6.

Исходную пластину (рис. 1.6а) окисляют и наносят по всей поверхности

тонкий слой фоторезиста (рис. 1.6б). Фоторезист представляет собой вещество,

изменяющее под воздействием ультрафиолетового излучения растворимость

в определенных травителях. Поверхность пластины облучают через специаль-

ный фотошаблон (рис. 1.6в), после чего облученные участки стравливают. Об-

разуется маска из фоторезиста, рисунок которой переносят на нижележащий

слой SiO

(рис. 1.6г), после чего слой фоторезиста удаляют. Через образовав-

Рис.

1.6. Основные операции формирования струк-

туры эпитаксиально-планарного транзистора