Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

9
ности пластины, а это приведет к снижению напряжения пробоя перехода кол-
лектор – база.
Решение проблемы повышения быстродействия транзистора заключается
в формировании слоя с повышенным содержанием доноров на некотором рас-
стоянии от поверхности пластины. Этот так называемый скрытый слой умень-
шает сопротивление тела коллектора. В то же время снижения пробивного на-
пряжения коллекторного перехода не происходит. Сформировать скрытый слой
можно с помощью операции эпитаксии. Структура эпитаксиально-планарного
транзистора представлена на
рис. 1.5.
Толщина исходной
кремниевой пластины, состав-
ляет обычно величину порядка
400 мкм. Толщина эпитакси-
ального слоя, как правило, на-
ходится в диапазоне от 4
до 15 мкм. Транзистор изоли-
рован от соседних элементов
по периметру высокоомной границей р
+
-п-перехода, а снизу − такой же грани-
цей р
-
-п
+
-перехода. Металлизация осуществляется обычно с помощью напыле-
ния пленки из алюминия с последующим селективным травлением. Данная
структура транзистора не является единственно возможной, существуют и дру-
гие конструкции.
1.3. Общая характеристика технологического процесса изготовления
полупроводниковых ИМС
Начальным этапом изготовления полупроводниковых микросхем являет-
ся выращивание монокристаллического слитка кремния, содержащего заранее
определенное количество примесных атомов. Слитки разрезают на пластины и
обрабатывают их поверхности. С помощью многократно повторяющихся опе-
раций окисления, фотолитографии, эпитаксии, диффузии, ионной имплантации,
металлизации и травления формируют элементы микросхемы, соединенные
проводящими дорожками на поверхности пластины. На одной пластине может
быть изготовлено большое количество однотипных кристаллов (чипов). Затем
все кристаллы тестируют, маркируя дефектные, и разрезают пластину на кри-
сталлы. После этого кристаллы монтируют в корпус и проводят заключитель-
ный функциональный контроль.
Самыми важными операциями являются те из них, с помощью которых
непосредственно формируется структура микросхемы, то есть окисление, эпи-
таксия, диффузия и так далее. Рассмотрим более подробно эти операции
на примере эпитаксиально-планарного транзистора. Основные операции техно-
Рис.
1.5.
Структура эпитаксиально-планарного
транзистора

Страницы