Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

7
Если, например, электронный блок содержит прецизионные резисторы,
то сформировать их с помощью полупроводниковой технологии проблематич-
но, поскольку существует технологический разброс параметров порядка 10 %.
Если блок содержит резисторы больших номиналов, то сформировать его в
приповерхностном слое пластины можно, но такой резистор будет занимать
слишком большую площадь на кристалле. Если требуется сформировать кон-
денсатор небольшой емкости, то для этого может быть использована барьерная
емкость р-п-перехода. Если же емкость конденсатора относительно велика, то
сделать это практически невозможно. Существуют также ограничения по изго-
товлению индуктивных элементов. Имеются проблемы с реализацией в инте-
гральном исполнении электронных блоков с большой рассеиваемой тепловой
мощностью.
Гибридная технология в значительной степени свободна от этих ограни-
чений. В гибридных интегральных микросхемах (ГИС) пассивные элементы
(резисторы, конденсаторы, индуктивные элементы), а также электрические
проводники и контактные площадки изготавливаются на поверхности диэлек-
трической подложки по пленочной технологии, а активные (бескорпусные
транзисторы, диоды и так далее) монтируют-
ся на подложке с помощью навесного мон-
тажа. Фрагмент структуры ГИС показан на
рис. 1.2. На подложке (обычно керамика, си-
талл или другие материалы) по пленочной
технологии сформированы резистор R и кон-
денсатор С. Соединение активного элемента
АЭ с контактными площадками осуществля-
ется микросваркой.
В зависимости от технологии формирования пассивных элементов разли-
чают тонкопленочные и толстопленочные ГИС. Тонкопленочные элементы
(обычно толщина менее 1 мкм) формируют термовакуумным испарением или
ионно-плазменными методами. Толстопленочные элементы формируют мето-
дом трафаретной печати, нанося на подложку через трафарет пасту специально-
го состава, а затем осуществляя ее температурную обработку (сушку и вжига-
ние).
Иногда выделяют в отдельные группы пленочные и совмещенные инте-
гральные микросхемы. Их доля в общем объеме производства невелика. Пле-
ночные ИМС – это обычно наборы резисторов или конденсаторов
с одинаковыми параметрами или параметрами, образующими геометрическую
прогрессию (R, 2R, 4R и так далее). Совмещенная ИМС – это интегральная по-
лупроводниковая микросхема, в которой активные элементы (транзисторы и
диоды) формируются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины,
а пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и так далее) – на ее поверхно-
сти по пленочной технологии.
Рис.
1.2. Структура гибридной ИС

Страницы