Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

5
ПРЕДИСЛОВИЕ
Производство электронных средств, в особенности микросхем
и микропроцессоров, в настоящее время переживает бурный подъем. Резко
улучшились основные технические характеристики микроэлектронных уст-
ройств, в первую очередь быстродействие и энергопотребление. Номенклатура
выпускаемой продукции непрерывно расширяется, возникают новые направле-
ния такие, как нанотехнология и микросистемотехника. Современному инже-
неру-технологу электронных средств все сложнее ориентироваться в новых
технологических методах и конструктивных решениях. Помочь ему в этом мо-
жет знание физико-химических основ технологии электронных средств.
В настоящем учебном пособии рассматриваются основные технологиче-
ские операции производства электронных средств с точки зрения физических
явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Ос-
новное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые
реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмот-
рены также основные операции изготовления гибридных интегральных микро-
схем. Вопросы, связанные с
такими технологическими операциями, как сборка
и функциональный контроль микросхем или технология печатных плат в дан-
ном учебном пособии не рассматриваются.
В первой главе представлены общие сведения о технологии интегральных
микросхем, дана их классификация и кратко описаны основные технологиче-
ские операции при изготовлении полупроводниковых микросхем. Вторая глава
посвящена методам выращивания кремниевых монокристаллических слитков.
Третья глава является основной, в ней рассмотрены все основные техно-
логические операции формирования структуры полупроводниковой микросхе-
мы, а именно, окисление поверхности кремниевой пластины, эпитаксия, фото-
литография, легирование с помощью диффузии и ионной имплантации и так
далее. Для анализа технологических операций в качестве примера выбран эпи-
таксиально-планарный транзистор. Хотя он и не обладает оптимальной конст-
рукцией, но для его изготовления используются практически все типичные тех-
нологические операции.
В четвертой главе рассмотрены процессы, лежащие в основе технологии
изготовления тонкопленочных и толстопленочных гибридных интегральных
микросхем. В первую очередь это относится к напылению на диэлектрическую
подложку тонких пленок ионно-плазменными методами и термовакуумным
испарением, а также формированию пленок методом трафаретной печати.
В
пятой главе отдельно выделены вопросы, связанные с процессами, проте-
кающими в металлических проводниках и контактных соединениях.

Страницы