ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ………………………...………………………………….. 5
1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТЕХНОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ……..……………………………………….………..…… 6
1.1. Классификация интегральных микросхем по технологии
их изготовления………...……………………..…………………. 6
1.2.
Особенности формирования структуры полупроводниковой
ИМС на примере эпитаксиально-планарного транзистора…....
8
1.3.
Общая характеристика технологического процесса
изготовления полупроводниковых ИМ…...……………………
9
2. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ…..… 12
2.1.
Получение поликристаллического кремния………………...…
12
2.2.
Выращивание монокристаллических слитков кремния
методом Чохральского…...……………………………...………
13
2.3.
Получение монокристаллического кремния методом
бестигельной зонной плавки……………………….……………
15
3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ……... 16
3.1. Эпитаксиальные процессы в технологии полупроводниковых
интегральных микросхем………………………………….…… 16
3.2.
Формирование диэлектрических слоев на поверхности
кремния………………………………………….………………..
24
3.3.
Формирование структур методом диффузии………………..…
31
3.4.
Формирование структур методом ионной имплантации…...…
39
3.5.
Ядерное (трансмутационное) легирование кремния………..…
44
3.6.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные
лазерным излучением……….……………...……………………
46
3.7.
Процессы в кремниевых структурах, стимулированные
радиационными дефектами…………………………..…….……
48
3.8.
Литографические процессы в технологии электронных
средств…………………………….………………………………
51
3.9.
Травление...………………………………………………………
64
4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ…………….……… 72
4.1.
Термовакуумное напыление тонких пленок………………...…
72
4.2.
Ионно-плазменные методы получения тонких пленок…….…
79
4.3.
Технология толстопленочных ГИС………………….…………
89
