Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 27 стр.

UptoLike

Составители: 

27
Умножим
левую
и
правую
части
выражения
(3.7)
на
2D
и
обозначим
В
результате
выражение
(3.7)
после
несложных
преобразований
примет
вид
где
введено
обозначение
Получилось
квадратное
уравнение
относительно
толщины
оксидного
слоя
z
0
Учитывая
,
что
z
0
величина
положительная
,
решение
уравнения
будет
Проанализируем
полученное
выражение
.
При
малых
временах
t,
то
есть
при
выполнении
условия
выражение
(3.8)
примет
вид
При
больших
временах
,
то
есть
при
выполнении
условия
выражение
(3.8)
примет
вид
Таким
образом
,
на
начальной
стадии
окисления
толщина
оксидной
плен
-
ки
увеличивается
со
временем
по
линейному
за
-
кону
,
а
при
больших
временах
окисления
зависи
-
мость
толщины
от
времени
становится
корневой
.
На
рис
. 3.4
представлены
зависимости
толщины
слоя
SiO
2
от
времени
окисления
при
двух
разных
температурах
.
Видно
,
что
температура
значи
-
тельно
увеличивает
скорость
роста
оксидного
слоя
.
Повышение
скорости
роста
с
температурой
.
C
2DC
B ,
h
1
k
1
2DA
i
0
=
+=
τ),B(tAzzBtAzz
i
2
i0
2
0
+=++=+
.
B
Azz
τ
i
2
i
+
=
0.τ)B(tAzz
0
2
0
=++
(3.8) . 1
A
τ)4B(t
1
2
A
τ)B(t
4
A
2
A
z
2
2
0
+
+=+++=
τ).(t
A
B
1
A
τ)4B(t
2
1
1
2
A
z
2
0
+=
+
+
4B
A
τ tили 1
A
τ)4B(t
2
2
<<+<<
+
.τ)B(t
A
τ)4B(t
2
A
z
2
0
+=
+
4B
A
τ tили 1
A
τ)4B(t
2
2
>>+>>
+
Рис.
3.4. Зависимость толщины
слоя SiO
2
от времени