ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
42
Произведя интегрирование в пределах от начальной энергии иона Е до нуля,
можно найти среднюю длину пробега ионов
Из выражения (3.24) следует, что для определения среднего пробега ио-
нов в подложке необходимо знать зависимости ядерной S
n
и электронной S
e
тормозных способностей от энергии ионов. В теории ЛШШ показано, что S
n
практически не зависит от энергии ионов, а определяется лишь соотношением
масс и атомных номеров ионов и вещества мишени. Электронная тормозная
способность пропорциональна скорости движения ионов, которая, в свою оче-
редь, пропорциональна квадратному корню из энергии иона. Таким образом,
Авторам теории ЛШШ удалось получить расчетные соотношения и для
коэффициента пропорциональности k в выражении (3.25) и для ядерной тор-
мозной способности S
n
. Выражения эти довольно громоздки, поэтому покажем
лишь качественно зависимость S
n
и S
e
от
энергии ионов (рис.
3.11).
При некоторой энергии Е
кр
тор-
мозные спосбности S
n
и S
e
равны друг
другу. Если энергия ионов меньше Е
кр
,
то преобладающий механизм торможе-
ния ядерный, если энергия ионов пре-
вышает Е
кр
, то преобладает электронный
механизм. Радиационные дефекты в под-
ложке создаются, главным образом, при
S
n
>> S
e
. Поэтому при имплантации ио-
нов, обладающих малыми энергиями,
радиационные дефекты в подложке образуются вдоль всей траектории, а при
высоких энергиях ионов – только в конце их пробега.
Распределение имплантированных ионов по глубине в случае аморфной
подложки описывается функцией Гаусса
.
e
S
n
S
dE
N
1
dx
+
⋅−=
(3.24) .
E
0
e
S
n
S
dE
N
1
0
E
e
S
n
S
dE
N
1
R
∫
+
⋅=
∫
+
⋅−=
(3.25) .Ek
e
S ⋅=
Рис.
3.11. Зависимости S
n
и
S
e
от энергии ионов
(3.26) ,
2
x
∆R
x
Rx
2
1
exp
x
∆R2π
Q
C(x)
−
−=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
