Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 43 стр.

UptoLike

Составители: 

43
где Q доза легирования; R
x
средняя проекция пробега на направление пер-
воначального движения ионов; R
x
среднеквадратичное отклонение длин
пробегов.
В рамках теории ЛШШ показано, что величина R
x
связана со средней
длиной пробега R соотношением
где М
1
и М
2
массы имплантированных ионов и атомов подложки соответст-
венно; параметр b 1/3 для торможения на ядрах. В случае торможения на
электронах параметр b несколько меньше, но в первом приближении множи-
тель 1/3 остается в силе.
Среднеквадратичное отклонение длин пробегов R
x
можно вычислить
по формуле
Максимальная концентрация примеси, соответствующая наиболее веро-
ятной проекции пробега (при x = R
x
), равна
Распределение примесных атомов по глубине в случае аморфной под-
ложки представлено на рис. 3.12 сплошной линией. Через С
исх
обозначена кон-
центрация примесных атомов в подложке, которые существовали до начала
ионной имплантации. Глубина залегания
полученного при этом р-п-перехода опре-
деляется выражением
При извлечении корня следует учитывать
оба знака, поскольку в подложке после
проведения ионного легирования воз-
можно одновременное образование двух
р-п-переходов.
Распределение пробегов ионов
в аморфных и монокристаллических под-
ложках может сильно отличаться друг от друга. Если направление падающего
ионного пучка совпадает (или почти совпадает) с одним
из кристаллографических направлений монокристаллической подложки,
то число тормозящих атомов отличается от соответствующего числа атомов
,
M
M
b1
R
x
R
1
2
+
=
.
2
M
1
M
2
M
1
M
x
R
3
2
x
R
+
=
.
x
R
Q
0,4
x
R2π
Q
max
C =
.
2π
исх
C
x
R
Q
2ln
x
R
x
R
np
x ±=
Рис.
3.12. Распределение при-
месных атомов по глубине