ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
52
кипячение в кислотах, очистку в парах растворителя, кипячение в деионизован-
ной воде и так далее.
Нанесение фоторезиста осуществляют центрифугированием, пульвериза-
цией, поливом, окунанием в раствор фоторезиста, накаткой и
так
далее. Первые
два способа являются наиболее распространенными. При
центрифугировании
небольшое количество жидкого фоторезиста под воздействием центробежных
сил растекается по поверхности пластины, образуя равномерный по толщине
тонкий слой. Регулировка толщины слоя осуществляется путем изменения вяз-
кости фоторезиста и угловой скорости вращения центрифуги.
Основной целью сушки нанесенного слоя фоторезиста является удаление
растворителя. При этом в фоторезисте происходят сложные релаксационные
процессы, уплотняющие молекулярную структуру слоя, уменьшающие внут-
ренние напряжения и повышающие адгезию слоя к подложке. Неполное удале-
ние растворителя из фоторезиста снижает его кислотостойкость:
при
экспонировании молекулы растворителя экранируют нижележащий слой
и
после проявления, например, позитивного фоторезиста возникают дефекты
в
виде нерастворенных микрообластей.
Существует несколько способов сушки фоторезиста. Конвективную суш-
ку осуществляют в обычных термошкафах. При инфракрасной сушке удаление
молекул растворителя происходит в результате разогрева фоторезистивного
слоя инфракрасным излучением. Данный способ позволяет получать более
гладкую поверхность фоторезистивного слоя. Вместо инфракрасного излучения
часто используют СВЧ-излучение.
После сушки фоторезиста проводят его экспонирование. Здесь следует
отметить, что, начиная со второй операции фотолитографии (со второго фото-
шаблона), необходимо строго определенным образом совмещать рисунок фо-
тошаблона с рисунком на подложке, полученным в результате предыдущей
операции фотолитографии. Это делается с помощью специальных реперных
знаков, имеющихся на фотошаблоне. После каждой операции фотолитографии
реперные знаки переносятся на пластину. При каждой последующей операции
реперные знаки, имеющиеся на используемом в
данный момент фотошаблоне,
совмещаются с реперными знаками на пластине. В
настоящее время использу-
ют визуальный (с помощью микроскопа) и
автоматизированный фотоэлектри-
ческий способы совмещения.
Операцию экспонирования проводят для того, чтобы в фоторезисте про-
изошли фотохимические реакции, которые изменяют исходные свойства фото-
резиста. В качестве источника ультрафиолетового излучения обычно исполь-
зуют ртутные лампы. Очень важно обеспечить параллельность светового пучка,
для чего используют конденсорные линзы.
Различают контактный и бесконтактный (проекционный) способы фото-
литографии. При контактном способе фотошаблон и пластина с
нанесенным
фоторезистом соприкасаются. Реальная поверхность пластины не
является аб-
солютно ровной, поэтому между ней и фотошаблоном существуют микрозазо-
ры, толщина которых по поверхности изменяется случайным образом. Наличие
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
