ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
67
где А
тр
– константа скорости химической реакции на поверхности объекта;
N
s
– концентрация молекул травителя на поверхности; ∆Е – энергия активации
химической реакции (избыточная энергия, которой должна обладать молекула
в момент столкновения с другой молекулой, чтобы быть способной
к химическому взаимодействию).
Энергия активации ∆Е зависит от неоднородности поверхности пласти-
ны, кристаллографической ориентации, наличия на поверхности структурных
дефектов. Если, например, на поверхности имеются выходы дислокаций, то в
этих местах энергия активации меньше, чем на участках поверхности без де-
фектов. Поэтому в «дефектных» участках скорость травления будет выше, и на
поверхности образуются ямки травления, форма которых зависит от кристалло-
графической ориентацией поверхности пластины.
Травители, у которых лимитирующей стадией является химическая реак-
ция, называются
селективными
, а процесс травления –
дифференциальным
. Как
следует из выражения (3.30), характер селективного травления определяется не
только свойствами поверхности, способными повлиять на значение энергии ак-
тивации химической реакции ∆E, но и в значительной степени температурой. С
ростом температуры селективность травителя оказывается выраженной мень-
ше. Поэтому для выявления поверхностных дефектов желательно проводить
травление при низких температурах. Однако при снижении температуры
уменьшается вязкость травителя, и на скорость всего процесса начинают влиять
диффузионные стадии, снижающие селективность травителя.
Ионно-плазменные методы травления
Повышение степени миниатюризации микросхем привело
к необходимости формирования на поверхности полупроводниковых пластин
элементов с субмикронными размерами. Методы жидкостного травления
не обеспечивают требуемого для этих целей разрешения. Это послужило сти-
мулом к развитию различных ионно-плазменных методов. Под термином «ион-
но-плазменное травление» принято понимать процесс контролируемого удале-
ния материала с поверхности обрабатываемой пластины под воздействием ио-
нов низкотемпературной плазмы в среде инертных газов или в среде, содержа-
щей активные газы.
Подробно вопросы, связанные с образованием газоразрядной плазмы и
взаимодействием образующихся при этом ионов с поверхностью распыляемой
пластины, рассмотрены в п. 4.2. Здесь отметим лишь, что плазма создается
в
специальной газоразрядной камере с двумя (или более) электродами, между
которыми прикладывается напряжение порядка несколько сотен или тысяч
вольт. В камере предварительно создается вакуум, а затем в нее напускается
(3.30) ,
kT
∆
E
e
s
N
тр
A
тр
V
−
=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
