ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
69
При
столкновениях
ускоренных
электронов
с
нейтральными
молекулами
CF
4
возникает
газовый
разряд
и
образуются
химически
активные
частицы
F
*
и
CF
3
*
,
а
также
ионы
F
−
и
CF
3
+
в
соответствии
с
реакциями
:
CF
4
+
е
-
→ CF
3
*
+ F
*
+
е
-
, (3.31
а
)
CF
4
+
е
-
→ CF
3
+
+ F
*
+ 2
е
-
, (3.31
б
)
CF
4
+
е
-
→ CF
3
*
+ F
−
. (3.31
в
)
Экспериментально
установлено
,
что
преобладающей
из
всех
трех
реак
-
ций
является
реакция
(3.31
а
).
Химически
активные
частицы
F
*
и
CF
3
*
осажда
-
ются
на
поверхность
кремния
,
причем
частицы
CF
3
*
могут
диссоциировать
с
образованием
F
*
и
углерода
,
а
могут
и
не
диссоциировать
.
Образование
углеро
-
да
на
поверхности
является
нежелательным
побочным
явлением
,
поскольку
это
приводит
к
загрязнению
поверхности
кремниевой
пластины
.
Химически
актив
-
ные
частицы
F
*
взаимодействуют
с
кремнием
:
4F
*
+ Si → SiF
4
.
Образующиеся
в
результате
этих
реакций
соединения
SiF
4
десорбируются
и
удаляются
системой
откачки
.
Параллельно
с
этим
идет
реакция
4F
*
+
С
→
С
F
4
.
Продукт
реакции
CF
4
также
десорбируется
и
удаляется
.
Существенную
роль
играет
добавление
в
четырехфтористый
углерод
ки
-
слорода
,
молекулы
которого
в
камере
ионизируются
и
вступают
во
взаимодей
-
ствие
с
поверхностью
кремниевой
пластины
,
окисляя
ее
.
Как
отмечалось
выше
,
часть
химически
активных
частиц
CF
3
*
не
диссоциирует
на
частицы
F
*
и
угле
-
род
.
При
воздействии
CF
3
*
на
окисленную
поверхность
кремния
присутствие
кислорода
препятствует
образованию
свободного
углерода
на
поверхности
за
счет
образования
летучих
соединений
СО
и
СО
2
.
Наличие
молекул
кислорода
в
газовой
фазе
при
плазмохимическом
травлении
кремния
еще
в
большей
сте
-
пени
способствует
очистке
поверхности
от
следов
углерода
,
увеличивая
тем
самым
скорость
травления
.
Наиболее
широкие
возможности
открывает
метод
ионно
-
химического
травления
,
называемый
также реактивным
ионным
травлением
.
В
нем
для
уда
-
ления
поверхностного
слоя
материала
используется
как
кинетическая
энергия
ионов
химически
активных
газов
,
так
и
энергия
их
химических
реакций
с
ато
-
мами
или
молекулами
объекта
травления
.
Обработка
поверхности
объекта
в
этом
случае
ведется
ионами
химически
активных
газов
с
энергией
до
500
эВ
,
а
также
химически
активными
нейтральными
атомами
и
радикалами
.
Скорость
травления
примерно
равна
0,3 − 3
нм
/
с
.
При
возникновении
газового
разряда
в
химически
активном
газе
наряду
с
химически
активными
частицами
образуются
также
ионы
газа
.
Как
уже
отме
-
чалось
выше
,
при
анализе
реакций
(3.31)
в
газоразрядной
плазме
преобладают
химически
активные
частицы
.
Их
доля
обычно
составляет
десятки
процентов
,
а
доля
ионов
не
превышает
единиц
процентов
.
Поэтому
основную
роль
при
ион
-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- …
- следующая ›
- последняя »
