ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
89
зоразрядная плазма локализована вблизи мишени, а не «размазана»
в межэлектродном пространстве, как в методе катодного распыления.
В результате резко возрастает интенсивность бомбардировки мишени ионами
рабочего газа, тем самым увеличивается скорость распыления мишени и,
как следствие, скорость роста пленки на подложке (скорость достигает не-
сколько десятков нм/с).
Наличие магнитного поля не дает электронам, обладающим высокой ско-
ростью, долететь до подложки, не столкнувшись с атомами рабочего газа. По-
этому подложка не нагревается вследствие бомбардировки ее вторичными
электронами. Основным источником нагрева подложки является энергия, выде-
ляемая при торможении и конденсации осаждаемых атомов вещества мишени,
в результате чего температура подложки не превышает 100 − 200 °С. Это дает
возможность напылять пленки на подложки из материалов с малой термостой-
костью (пластики, полимеры, оргстекло и так далее).
4.3. Технология толстопленочных ГИС
Сущность технологического процесса
Технология производства толстопленочных гибридных интегральных
микросхем базируется на формировании на поверхности диэлектрической под-
ложки «толстых» (толщиной более десяти микрометров) слоев различных ма-
териалов, которые выполняют функции проводящих дорожек, контактных
площадок, резисторов, конденсаторов и так далее. Слои наносят в виде паст
различного состава через специальные трафареты. После нанесения слоев про-
изводится термическая обработка (сушка и вжигание) для придания им задан-
ных электрофизических и механических свойств. Обычно на подложке требует-
ся формировать различные элементы ГИС (проводники, резисторы, конденса-
торы), поэтому совокупность операций, включающая в себя нанесение слоя че-
рез трафарет и его термическую обработку, многократно повторяется. При этом
для каждого топологического слоя требуется свой трафарет и своя паста.
Поскольку температура вжигания для электропроводящих, резистивных
и диэлектрических паст различна, то последовательность нанесения слоев
должна быть вполне определенной. Сначала наносится электропроводящая пас-
та, образующая проводники, контактные площадки и нижние обкладки конден-
саторов, затем паста для диэлектриков конденсаторов и изоляции возможных
пересечений проводников. Третьим слоем наносятся верхние обкладки конден-
саторов и пересекающиеся проводники. Наконец, наносятся резистивные пас-
ты, причем вначале наносятся пасты, имеющие наибольшую температуру вжи-
гания, а в конце – пасты с наименьшей температурой вжигания. Разумеется, по-
следовательность операций может быть и иной, но важно, чтобы термическая
обработка каждого последующего слоя не влияла на свойства уже нанесенных
на подложку слоев.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 87
- 88
- 89
- 90
- 91
- …
- следующая ›
- последняя »
