Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 91 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

91
Сопротивление таких паст относительно невелико и из них можно формировать
проводящие дорожки гибридной микросхемы. С целью снижения стоимости
предпринимаются попытки использовать другие более дешевые компоненты
функциональной фазы (Cu, Al, Ni), однако свойства получаемых элементов
значительно хуже, а технологический процесс (в первую очередь операция
вжигания) существенно сложнее.
Резистивные пасты включают в себя в качестве функциональной фазы
мелкодисперсные частицы металла (Pd, Ag, W) и оксидов металлов. Частицы
оксидов металлов, обладающие изолирующими и полупроводниковыми свой-
ствами, разобщают частицы металла, в результате чего образуются проводящие
цепочки, сопротивление которых зависит от соотношения частиц металла и ок-
сида металла. Варьируя соотношение компонент функциональной фазы и стек-
лянной фритты, можно получить требуемое удельное сопротивление резистив-
ного слоя. Широкое применение находят серебряно-палладиевые резистивные
пасты, функциональной основой которых является палладий и оксид серебра. К
недостаткам серебряно-палладиевых резистивных паст следует отнести высо-
кую чувствительность к режимам термообработки и относительно низкую ста-
бильность параметров получаемых резисторов. Для получения прецизионных
резисторов используют пасты на основе оксида рутения RuO
2
с добавками ок-
сидов других металлов. Ограниченное применение находят пасты на основе ок-
сида индия, отличающиеся невысокой стабильностью параметров.
Диэлектрические пасты бывают двух видов: для диэлектриков
в конденсаторных структурах и для межслойной изоляции. Для конденсаторов
обычно используют пасты, функциональной составляющей в которых служит
порошок из сегнетоэлектриков (например, титанат бария BaTiO
3
), имеющих
высокие значения диэлектрической проницаемости. Для межслойной изоляции
используют пасты на основе различных стекол.
Основные технологические операции
Как уже отмечалось, основными технологическими операциями изготов-
ления толстопленочных гибридных микросхем являются: нанесение паст на
подложку методом трафаретной печати; сушка паст; вжигание
по определенному температурному профилю; подгонка параметров получен-
ных элементов.
Схема установки для трафаретной
печати элементов толстопленочных ГИС
представлена на рис. 4.10. Цифрами обо-
значены: 1 – диэлектрическая подложка;
2 – трафарет; 3 – «отпечаток» пасты; 4 –
паста; 5 – ракель, с помощью которого
паста продавливается через отверстия в
трафарете (ракель обычно делают из рези-
ны или полиуретана).
Рис.
4.10. Схема установки для
нанесения паст на подложку

Страницы