Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 93 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

93
химические процессы, происходящие в пасте при термическом вжигании. Рас-
смотрим эти процессы на примере серебряно-палладиевых резистивных паст, в
состав которых входят оксид серебра Ag
2
O, палладий Pd, стеклянная фритта и
растворитель.
На начальной стадии термообработки (при Т < 330 °С) происходит испа-
рение остатков органической связки и диссоциация Ag
2
O в соответствии
с реакцией
2Ag
2
O → 4Ag + O
2
.
С повышением температуры (примерно от 330 °С до 520 °С) начинается окис-
ление палладия:
2Pd + O
2
→ 2PdO.
При дальнейшем повышении температуры (приблизительно до 700 °С) проис-
ходит образование сплава Pd-Ag в соответствии с реакцией
3PdO +2Ag → 2Pd⋅Ag +PdO + O
2
.
При температурах, превышающих 700 °С начинается разложение оксида палла-
дия:
2PdO → 2Pd + O
2
.
Таким образом, полученный в результате описанных выше процессов ре-
зистор состоит из композиции стекла, Pd, PdO и сплава Pd-Ag. Процентное со-
держание этих компонентов и определяет параметры полученных резисторов,
в частности, сопротивление и температурный коэффициент сопротивления.
Палладий и сплав палладия с серебром являются проводниками, их ТКС поло-
жителен. Оксид палладия, напротив, является полупроводником р-типа. Вели-
чина и знак ТКС оксида палладия зависят от температуры и степени легирова-
ния. Обычно ТКС у PdO отрицателен.
На окисление и восстановление палладия катализирующее воздействие
оказывает серебро, снижая, в частности, температуру восстановления палладия
до 600 °С. Поэтому при вжигании при температурах в пределах 700 − 800 °С
эта система склонна к неконтролируемым окислительно-восстановительным
реакциям. Кроме этого, невысока и точность воспроизведения геометрических
размеров элементов при трафаретной печати. Как следствие, все это приводит
к большому разбросу параметров получаемых резисторов, который может дос-
тигать величины порядка 30 % . Необходима индивидуальная подгонка резисто-
ров (и конденсаторов).
Методы подгонки параметров элементов толстопленочных ГИС
Для изменения параметров элементов ГИС используются различные ме-
тоды, основанные либо на физическом удалении части материала пленки (из-
менения геометрических размеров резисторов и конденсаторов), либо
на изменении ее физико-химических свойств. Среди них можно выделить ме-

Страницы