Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 94 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

94
тод лазерной подгони, метод высоковольтного импульсного разряда, химиче-
ский и электрохимический методы.
Самым распространенным методом является лазерная подгонка, суть ко-
торой заключается в следующем. Поверхность резистора обрабатывается крат-
ковременными импульсами, излучаемыми лазером, что приводит к испарению
части материала резистивного слоя и образованию так называемых «резов»
(поперечных, продольных или комбинированных), изображенных на рис. 4.12.
Поскольку образование «реза» приводит к уменьшению поперечного сечения
резистора, то лазерная подгонка позволяет корректировать сопротивление
только в сторону увеличения. В процессе подгонки необходимо постоянно кон-
тролировать сопротивление резистора, что осуществляется с помощью специ-
альных зондов, напряжение с которых поступает в управляющий компьютер.
Как только сопротивление достигнет номинального значения, воздействие ла-
зера на резистор прекращается. Считается, что поперечный «рез» позволяет
осуществлять грубую подгонку, а продольный «рез» – тонкую. Обычно форми-
руют комбинированный «рез», то есть начинают с поперечного «реза», а закан-
чивают продольным. Аналогичным образом осуществляется подгонка конден-
саторов, только в этом случае удаление части поверхности верхней обкладки
конденсатора приводит к уменьшению его емкости.
Поскольку процесс подгонки резисторов и конденсаторов односторон-
ний, то для того, чтобы исключить брак, технологический процесс формирова-
ния толстопленочных элементов настраивают таким образом, чтобы резисторы
имели заведомо заниженные значения сопротивлений (примерно на 20 − 40 %),
а конденсаторы – завышенные значения емкости. Возможность корректировать
параметры элементов только в одном направлении является серьезным недос-
татком данного метода подгонки.
Подгонку резисторов как в сторону увеличения, так и в сторону умень-
шения можно осуществить методом высоковольтного разряда, суть которого
заключается в ледующем. Импульсное напряжение порядка нескольких кило-
вольт прикладывается к пленке резистора. Подача таких импульсов длительно-
стью 0,1 − 3 с вызывает изменения в структуре пленки. Например, в резисторах
на основе RuO
2
− Ag первоначальные импульсы увеличивают содержание се-
ребра, что приводит к уменьшению сопротивления. Последующие импульсы
вызывают разрыв пленки с образованием микроскопических кратеров, что спо-
собствует увеличению сопротивления. Детально механизм уменьшения сопро-
тивления еще окончательно не исследован. Некоторые авторы считают, что это
Рис.
4.12. Форма «резов» при лазерной подгонке резисторов:
поперечный (а); продольный (б); комбинированный (в)

Страницы