Составители:
Рубрика:
10
В предельном режиме у биполярного транзистора возможен вторич-
ный пробой, характеризующийся быстрым и неуправляемым ростом тока
коллектора, что приводит к выходу транзистора из строя.
1.4. Полевые транзисторы
Биполярные транзисторы сейчас используются в импульсной си-
ловой технике все реже и реже. На смену им приходят полевые тран-
зисторы (MOSFET) и комбинированные транзисторы (IGBT), имею-
щие несомненные преимущества.
Основные преимущества полевого транзистора
1. Управление в полевом транзисторе осуществляется через затвор,
который изолирован от силового p-n-перехода тонким слоем окисла.
Поэтому у полевого транзистора не токовое, а потенциальное управле-
ние, т. е. он не потребляет мощности в управляющей цепи.
2. В полевом транзисторе отсутствуют неосновные носители, огра-
ничивающие скорость переключения транзистора.
3. Рост температуры полевого транзистора приводит к уменьшению
тока. В биполярном транзисторе повышение температуры ведет к уве-
личению тока и последующему выходу транзистора из строя. Поэтому
можно включать параллельно несколько полевых транзисторов без вы-
равнивающих резисторов.
4. В полевых транзисторах полностью отсутствует вторичный пробой.
i
б
t
t
нар
t
выкл
t
сп
i
б
t
Рис. 8
VT1
VT2
R
э
R
э
к
э
б
Рис. 9
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
