Составители:
Рубрика:
12
В схеме
вх зи у зи
(1 )
CC KC
=++×
, т. е. наличие обратной связи
при значительном коэффициенте усиления транзистора К
у
при-
водит к увеличению входной емкости С
вх
и увеличению времени
включения и выключения.
1.5. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
В начале 1980-х гг. были
разработаны биполярные
транзисторы с изолирован-
ным затвором (БТИЗ), зару-
бежный аналог (IGBT), у ко-
торых удалось объединить
положительные качества по-
левых и биполярных тран-
зисторов.
Эквивалентная схема
БТИЗ приведена на рис. 12.
Дополнительная структура
из VT1 и VT2 образуют внут-
реннюю положительную об-
ратную связь. Коэффициенты передачи тока эмиттера транзисторов соот-
ветственно равны β
1
и β
2
. Тогда
к2 э2 2 к1 э1 1
э к1б1к2б1н к1к2н
β; β;
.
i
iii
i
iiiiiiii
==
=++−+=++
Таким образом,
()
нэ 12
1 ββ.
i
i=−−
Выражая i
н
полевого транзистора через крутизну S, получим ток си-
ловой части БТИЗ:
зэ
ээквзэ
12
,
1 ββ
SU
i
SU==
−−
где
()
экв
12
1 ββ
S
S =
−+
– эквивалентная крутизна БТИЗ.
з
к
э
к
з
э
R1
R2
VT1
VT2
VT
i
э
i
н
i
с
i
к1
i
к2
i
к2
Рис. 12
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
