ВУЗ:
Составители:
67
триком или в самом диэлектрике имеется заряд Q
S
, то этот заряд будет
влиять на существующее в области контакта электрическое поле. Это эк-
вивалентно тому, как будто бы к МДП-структуре приложено дополнитель-
ное внешнее напряжение, равное Q
S
/С
Д
,
которое
сдвигает вольт-фарадную
характеристику вдоль оси абсцисс. По величине сдвига можно определить
заряд Q
S
и плотность поверхностных состояний, если именно они являются
источником этого заряда.
Минимальное значение емкости МДП-структуры С
min
, измеренное на
высоких частотах, связано с концентрацией основных носителей заряда.
Определив экспериментально С
min
и зная емкость диэлектрика С
Д
, можно
найти эту концентрацию. Создавая неравновесные условия, например, об-
лучая световыми импульсами или изменяя температуру исследуемой
структуры, можно на основе измерения и анализа вольт-фарадных харак-
теристик получить информацию о времени жизни неравновесных носите-
лей заряда и ряде других важных параметров. Подробную информацию о
методике определения этих параметров можно найти
в специальной лите-
ратуре.
5.4. Методы измерения теплового сопротивления
полупроводниковых приборов
Тепловое сопротивление полупроводниковых приборов определяет
изменение температуры электронно-дырочного перехода относительно
корпуса или окружающей среды, вызванное протеканием через переход
электрического тока. Измерение данного параметра приобретает особую
важность для мощных светоизлучающих диодов и мощных транзисторов,
у которых большая рассеиваемая мощность может вызвать сильный пере-
грев кристалла с последующими негативными последствиями. Для
свето-
диодов, например, это резкое уменьшение эффективности излучения и со-
кращение срока службы. Следует учитывать и то обстоятельство, что по-
лимер, из которого изготовлен корпус светодиода, нельзя нагревать свыше
определенного предела, так как деформация полимерной колбы, внутри
которой находится кристалл, может привести к отслаиванию токоподво-
дящих проводников от кристалла.
Для
определения величины теплового сопротивления необходимо
измерить величину рассеиваемой мощности и температуру
p-n-перехода
полупроводникового прибора. Измерение рассеиваемой мощности Р про-
блем не вызывает. Она определяется произведением силы тока I
гр
, проте-
кающего через переход на падение напряжения U на нем. Если разогрев
осуществляется импульсами тока, то необходимо произведение I
гр
·U до-
полнительно умножить на коэффициент заполнения импульсов, опреде-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
