ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
58
цательного или положительного заряда с плотностью σ
HO
, который полно-
стью компенсируется ионами противоположного знака с плотностью заряда
σ
isH
, причем потенциал-определяющие и компенсирующие заряд ионы распо-
ложены в параллельных друг другу плоскостях. Потенциал поверхности ли-
нейно убывает от значения Ψ
0
до нуля в пределах расстояния между этими
плоскостями, соответствующего радиусу противоиона.
Концентрация компенсирующих заряд катионов (или анионов, если
рассматривается исходно положительно заряженная поверхность) в пределах
второго слоя постоянна.
Модель Гельмгольца называют еще моделью с постоянной емкостью,
имея в виду, что параллельные друг другу плоскости потенциал-
определяющих ионов и противоионов можно рассматривать как конденсатор
с емкостью С. Зависимость между зарядом и потенциалом поверхности опи-
сывается простым уравнением:
σ = СΨ (3.10)
58
цательного или положительного заряда с плотностью σHO, который полно-
стью компенсируется ионами противоположного знака с плотностью заряда
σisH, причем потенциал-определяющие и компенсирующие заряд ионы распо-
ложены в параллельных друг другу плоскостях. Потенциал поверхности ли-
нейно убывает от значения Ψ0 до нуля в пределах расстояния между этими
плоскостями, соответствующего радиусу противоиона.
Концентрация компенсирующих заряд катионов (или анионов, если
рассматривается исходно положительно заряженная поверхность) в пределах
второго слоя постоянна.
Модель Гельмгольца называют еще моделью с постоянной емкостью,
имея в виду, что параллельные друг другу плоскости потенциал-
определяющих ионов и противоионов можно рассматривать как конденсатор
с емкостью С. Зависимость между зарядом и потенциалом поверхности опи-
сывается простым уравнением:
σ = СΨ (3.10)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 56
- 57
- 58
- 59
- 60
- …
- следующая ›
- последняя »
