Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

26
Рис. 2.8. Вольт-амперные характеристики полупроводниковых излучателей:
1 – GaAs
0,4
Р
0,6
; 2 – GaAs
0,35
Р
0,65
: N; 3 – GaAs
0,14
P
0,86
: N; 4 – GaP
: N
Используя закон Тальботта, выразим силу света
и
v
I
.
в импульсном режиме
через силу света в непрерывном режиме I
vкаж
:
и
v
I
.
=
каж
v
I
.
q
, (2.10)
где q – скважность импульсов.
Комбинируя (2.9) и (2.10), можно рассчитать силу тока при импульс-
ном возбуждении I
аи
, если известен необходимый для создания заданной
кажущейся силы света номинальный постоянный ток I
aном
:
и
a
I
.
=
ном
a
I
.
n
q
1
. (2.11)
Для полупроводниковых индикаторов на основе GaP и GaAs
1-х
Р
x
, на-
пример, АЛ304, АЛС314А, можно брать n = 1,4 при q < 5, и n = 1,2 при q >
5.
Приведем данные об основных параметрах некоторых полупроводни-
ковых индикаторов, выпускаемых отечественной промышленностью (табл.
2.1). Полупроводниковые индикаторы могут работать (управляться) от
микросхем через буферные усилители.
Светодиоды излучают как в видимом, так и в невидимом спектре.
Возможности изменения цвета у светодиодов широки и достигаются сле-
дующими способами:
• смешением основных цветов. Для этого прибор должен содержать
как минимум две полупроводниковые структуры, генерирующие из-
лучение разных цветов;

Страницы