Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 23 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2.7. Конструкция гибридного полупроводникового индикатора:

1 – сегмент; 2 – светорассеивающий материал; 3 – диффузор; 4 – по-

лость; 5 – пластмасса; 6 – излучатель

Выбор режимов возбуждения индикаторов определяется их кандел-

амперной и вольт-амперной характеристиками. Первые изображены на

рис. 2.4, вторые – на рис. 2.8 для различных материалов. Эти характери-

стики являются типичными для прямосмещенных р-n-переходов. В боль-

шей части рабочего диапазона ток экспоненциально увеличивается с рос-

том напряжения. При больших токах характеристики становятся более

прямыми из-за внутреннего омического сопротивления диода. Для GaAs

с увеличением х прямое падение возрастает, что обусловленно увели-

чением ширины запрещенной зоны. Отметим также, что для прямозонных

индикаторов динамическое сопротивление составляет 1…2 Ом, в то время

как для непрямозонных – 7…15 Ом. Это связано с более высокой подвиж-

ностью носителей в прямозонных полупроводниках.

Токи не должны превышать 100 мА, иначе носители зарядов начина-

ют вытесняться в область под металлическим контактом и соответствую-

щее излучение может не достигнуть наблюдателя.

Кандел-амперные характеристики, приведенные на рис. 2.4, можно

аппроксимировать формулой:

, (2.9)

где I

– сила света.