ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
Из формулы (2.7) следует, что внешний квантовый выход зависит еще
и от коэффициента вывода света χ. На рис. 2.5 иллюстрируется прохожде-
ние луча света, генерируемого в р-n-переходе, через слой полупроводни-
кового материала (показатель преломления n
пр1
> 1) во внешнюю среду
(например, воздух с n
пр2
= 1). Исходя из закона полного внутреннего отра-
жения, можно определить угол выхода излучения как
1кр
ϕ
= arcsin(
2
1
пр
пр
n
n
). (2.8)
Тогда для GaP (n
пр
= 3,28) на границе с воздухом (n
пр2
= 1) ψ
кр1
= 17,7°, со-
ответствующий телесный угол равен 0,187 ср.
Рис. 2.5. Выход излучения из полупроводника во внешнюю среду
При коэффициенте пропускания 0,695 доля света, проходящего через
наружную поверхность светодиода после первого падения, составляет
0,046. В некоторых новых приборах на основе непрямозонных тройных
соединений GaAs
1-х
Р
x
на подложку нанесен отражательный слой, благода-
ря которому во внешнюю среду выходит не только излучение, сосредото-
ченное внутри телесного угла, соответствующего ψ
кр1
, но также однократ-
но либо многократно отраженная часть остального излучения. Таким обра-
зом, в зависимости от конструкции и используемого материала, световая
эффективность полупроводниковых индикаторов меняется от сотых долей
до единиц лм/Вт.
Полупроводниковые индикаторы изготавливаются в монолитном или
гибридном исполнении. Монолитные – это знаковые индикаторы с разме-
рами символов порядка 2…3 мм, в корпусы которых зачастую встроена
увеличивающая пластмассовая линза. Изображенный на рис. 2.6 прибор
состоит из ряда p-областей, расположенных в подложке n-типа. N-слой
является отрицательным контактом для всех р-n-переходов. Другие кон-
такты создаются осаждением металла на диэлектрический слой, покры-
вающий поверхность.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
