Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

22
Рис. 2.4. Кандел-амперные характеристики различных типов полупровод-
никовых излучателей:
1 – GaP : ZnO; 2 – GaAs
0,35
Р
0,65
: N; 3 – GaAs
0,15
P
0,85
N; 4 – GaP;
5 – GaAs
0,02
P
0,38
Сверхлинейная зависимость объясняется тем, что с ростом полного
тока повышается значение γ
и
из-за увеличения доли диффузионного ком-
понента тока по сравнению с рекомбинационным. При больших токах γ
и
становится равным единице и рост силы света приближается к линейному.
В целом, кривые для светодиодов GaP и GaAs
1-х
Р
x
, легированных N, могут
быть описаны формулами (2.4) и (2.5).
Сублинейная зависимость для светодиодов из GaP, легированных
ZnO, обусловлена тем, что одновременно с ростом γ
и
в них происходит
спад η'
св
из-за быстрого насыщения излучательных центров примесей.
Сверхлинейная зависимость излучения большинства светодиодов ука-
зывает на целесообразность использования для их возбуждения больших
токов. Однако следует учитывать увеличение тепловыделения и повыше-
ние температуры р-n-перехода, что снижает эффективность генерации све-
та η'
св
из-за увеличения числа безызлучательных переходов. Таким обра-
зом, в случае сверхлинейной зависимости яркости от тока целесообразнее
использовать возбуждение импульсами с большой скважностью.

Страницы