Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 18 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.2.3. Зонные диаграммы полупроводниковых соединений

GaAs

1-x

при разных х:

1 – захват электрона изоэлектронным центром примеси;

2 – излучательная рекомбинация; 3 – формирование связанного экситона

Первое слагаемое в выражении (2.1) представляет собой диффузио-

ный ток I

, второе – рекомбинационный ток I

в обедненной области p-n-

перехода. Ввиду того, что последний обусловлен рекомбинацией на глубо-

ких уровнях, он не дает вклада в излучательные процессы. Таким образом,

излучательные процессы пропорциональны диффузионному току, следова-

тельно, и яркость излучения пропорциональна только диффузионному то-

ку:

дv

II ∼

. (2.2)

Несложным преобразованием приводим уравнение (2.1) к виду

ДД

IIa +=

, (2.3)

и выводим формулу для области малых напряжений, где преобладает ре-

комбинационный ток:

аv

II ∼

; (2.4)

для промежуточных и больших токов, где преобладает диффузионный ток: