Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

18
При прямом смещении р-n-перехода высота потенциального барьера
снижается и электроны из n-области диффундируют (инжектируются) в
р-область, где они и рекомбинируют с дырками. Аналогичным образом
дырки из р-области могут диффундировать в n-область и там рекомбини-
ровать (в реальных приборах преобладает диффузия только одного вида
носителей, причем обычно таковыми являются электроны). Таким обра-
зом, рекомбинация в полупроводниковых индикаторах поддерживается
благодаря инжекции неравновесных носителей через р-n-переход.
Рис.2.2. Зонные диаграммы р-n-переходов:
а
–
несмещенного р-n-перехода; б
–
прямосмещенного р-n-перехода
Для получения высокой световой эффективности (световая эффектив-
ность – это отношение светового потока, создаваемого индикатором, к
подводимой мощности; выражается в люмен на ватт (лм/Вт)) полупровод-
никовых индикаторов необходимо, чтобы основная доля энергии, освобо-
ждаемой при рекомбинации, расходовалась на излучение. Вероятность из-
лучательной рекомбинации, в первую очередь, связана со специфической
формой зонной диаграммы полупроводника. Зонные диаграммы двух клас-
сов полупроводников, широко применяемых в индикаторах (прямозонных
и непрямозонных), иллюстрируются рис. 2.2, на котором показана зависи-
мость энергии носителя заряда от значения волнового вектора (квазиим-
пульса) К
в
для полупроводников GaAs
1-x
Р
x
при изменении х.
Отличительной чертой прямозонных полупроводников является то,
что главный минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны со-
ответствуют одному и тому же значению К
в
(кривые при x = 0, х = 0,4). Та-
ким образом, электрон и дырка, участвующие в рекомбинации, имеют оди-
наковые импульсы, то есть этот процесс происходит с изменением энергии
сохранением импульса. Вероятность такой двойной рекомбинации доста-
точно велика.

Страницы