Электронные средства обработки и отображения информации. Солдатов А.И. - 17 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Для непрямозонных полупроводников (кривые при x = 0,65; 0,85; 1,0)

максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости соответствуют

разным значениям К

, то есть при рекомбинации меняются и энергия, и

импульс. В этом случае законы сохранения энергии требуют, чтобы в про-

цессе участвовали третьи частицы. Вероятность тройной рекомбинации

заметно ниже, чем двойной. В непрямозонных полупроводниках возможна

и двойная рекомбинация при неизменном числе К

, однако ее вероятность

ниже из-за слабого заполнения электронами уровней левого минимума зо-

ны проводимости. Для увеличения световой эффективности непрямозон-

ных полупроводников либо применяют материалы с малым количеством

примесей и дефектов, что уменьшает долю актов безизлучательной реком-

бинации, либо вводят легирующие добавки (например, азота, цинка, ки-

слорода), способствующие усилению излучения. При наличии примесей

рекомбинация происходит в три стадии, обозначенные стрелками на

рис. 2.3.

Вольт-амперная характеристика прямосмещенного диода выражается

уравнением:

= Aexp[

] + Bexp[

, (2.1)

где А и В – постоянные величины; е – заряд электрона; k – постоянная

Больцмана; Т – абсолютная температура, К; U

– напряжение на р-n-

переходе.