Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

31
Импульсный ток через сегмент индикатора задается резистором R1,
который находиться из выражения:
1 2
1
.
VT VT
U
п Uкэ Uпр Uкэ
R
I
и сег
− − −
=
где Uп – напряжение питания,
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора в режиме
насыщения,
Uпр – прямое падение напряжение на светодиоде при протекании
Iи.сег.
Через транзистор VT1 течет суммарный ток одноименных сегментов всех
индикаторов:
4 .
I
= ⋅
По требуемым параметрам Iк и Uп выбираем тип транзистора VT1. Зная
его статический коэффициент передачи тока β определим ток базы
насыщения:
I
к
Iбн
β
=
Т.к. ток коллектора может изменяться от Iи.сег до 4Iи.сег, то степень
насыщения транзистора S выбираем равным 1, для максимального тока
коллектора и соответственно для минимального Iк степень насыщения
транзистора будет равна 4. Отсюда:
I
б Iбн
=
Зная ток базы и выходные параметры дешифратора DD6 определим
сопротивление Rб1:
1
1
VT
U
п Uбэ
Rб
I
б
−
=
,
где Uп – напряжение питания,
Uбэ – напряжение на переходе база – эмиттер в режиме
насыщения.
32
Рис .1.21. Принципиальная схема управления полупроводниковыми семисегментными индикаторами с
общим анодом для фазоимпульсного метода индикации

Страницы