Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

27
Зная импульсный прямой ток сегмента можно определить величину
резистора R1:
1 2
1
.
VT VT
U
п Uкэ Uпр Uкэ
R
I
и сег
− − −
=
,
где Uп – напряжение питания,
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора VT1 в режиме
насыщения,
Uпр – прямое падение напряжение на сегменте
полупроводникового индикатора при протекании Iи.сег.
Через транзистор VT1 будет течь суммарный ток одноименных
сегментов всех индикаторов, поэтому:
1 1
4 .
I
э Iи сег Iк
= ⋅ ≈
По требуемым параметрам Iк и Uп выбираем тип транзистора VT1.
Зная его статический коэффициент передачи β определяем Iбн:
I
к
Iбн
β
=
Для фазоимпульсного метода индикации степень насыщения транзистора S
будет изменяться от единицы (при отображении одинаковых цифр всеми
индикаторами) до 4 (при отображении разных цифр). Поэтому
выбираем
I
б Iбн
=
.
Зная ток базы VT1 находим резистор Rб1:
R
1б
=
б
кэVTпрRбэVTп
I
UUUUU
211
−
−
−
−
Через транзистор VT2 течет суммарный ток всех сегментов
индикатора, поэтому:
7 .
I
к Iи сег
= ⋅
Зная максимальный выходной ток
1
ВЫХ
I
инвертора DD7, можно
определить минимальное значение статического коэффициента
28
Рис.1.19. Принципиальная схема управления полупроводниковыми семисегментными
индикаторам и с общим катодом для фазоимпульсного метода индикации

Страницы