Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

23
Зная требуемые Iк, Uп и Iб выбираем тип транзистора VT1.
Для выбора транзистора VT2 определим требуемые параметры,
которые он должен обеспечить. Во первых, найдем ток коллектора:
2
7 .
VT
I
к Iи сег
= ⋅
Определим β исходя из максимального выходного тока дешифратора и
степени насыщения VT2:
2
1
VT
ВЫХ
I
к
S
I
β
= ⋅
Зная Uп, Iк и β выбираем транзистор VT2.
Определим сопротивление R
Б2
:
1
2
2
Б
U
вых Uбэ
R
I
б
−
=
Если для отображения информации требуется другое количество
индикаторов, то вместо q = 4 выбираем другое значение q.
Принципиальная схема управления 4
х
– разрядным
информационным табло на 7-сегментных полупроводниковых индикаторах
с общим анодом для поразрядного метода индикации приведена на рис .
1.17.
Расчет элементов принципиальной схемы начнем с определения
импульсного тока через один сегмент индикатора:
1/1.4
.I
и сег Iсег q
= ⋅
,
где
I
сег
- постоянный ток сегмента,
q – скважность ( в нашем примере q = 4)
Теперь можно найти величину сопротивления R1:
2 1
1
.
VT VT
U
п Uкэ Uпр Uкэ
R
I
и сег
− − −
=
24
Рис.1.17. Принципиальная схема управления 4
х
– разрядным
семисегментным информационным табло на полупроводниковых
индикаторах с общим анодом при поразрядном методе индикации.
Коллекторный ток транзистора приблизительно равен импульсному току
через сегмент:
.
I
к Iи сег
≈
Выбрав транзистор VT1 по требуемому Iк и Uп находим ток базы
насыщения:
.
I
к Iи сег
Iбн
β β
= =
С учетом степени насыщения S ток базы VT1 будет равен:
2I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Зная ток базы найдем величину сопротивления в цепи базы:
1
1
1
ВЫХ VT
U U
бэ
Rб
I
б
−
=

Страницы