Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

25
Сопротивление нагрузки определяем из условия:
I
1
вых
= I
б
+I
нR
где I
1
вых
- выходной ток дешифратора при единичном выходном уровне,
I
нR
- ток через R
н
.
Отсюда находим R
н
:
R
н
=
бвых
вых
II
U
−
1
1
Коллекторный ток транзистора VT2 будет равен сумме токов через
сегменты индикатора:
1
7 .
VT
I
к Iи сег
= ⋅
Ток базы VT2 должен быть меньше или равен выходному току
дешифратора:
1
2VT
ВЫХ
I
б I
≤
Определим требуемое β с учетом степени насыщения S:
2
2
VT
I
к
б
β
= ⋅
По известным параметрам Iк, Uп и β выбираем тип транзистора.
Определим сопротивление в цепи базы VT2:
1
2 1
ВЫХ VT VT
U U
бэ Uпр Uкэ
Rб
I
б
− − −
=
Таким образом мы рассчитали все элементы принципиальной схемы.
Если величина резистора Rб2 получается отрицательной, то
необходимо использовать транзисторы VT1-VT7 структуры p-n-p.
(рис.1.18).
26
Рис.1.18.Принципиальная схема управления 4
х
– разрядным
семисегментным информационным табло на полупроводниковых
индикаторах с общим анодом при поразрядном методе индикации.
Расчет элементов принципиальной схемы, представленной на рис.1.18
аналогичен расчету элементов принципиальной схемы, показанной на
рис.1.17. Исключение составляет Rб2, которое определяется из выражения:
0
2
2
VT
ВЫХ
Uп Uбэ U
Rб
б
− −
=
Фазоимпульсный метод индикации. Принципиальная схема
управления полупроводниковыми семисегментными индикаторами с
общим катодом для фазоимпульсного метода индикации представлена на
рис.1.19. Для фазоимпульсного метода индикации скважность всегда равна
10.
Расчет элементов принципиальной схемы начинаем с определения
импульсного тока через один сегмент индикатора:
1/1.2
.I
и сег Iсег q
= ⋅
где
I
сег
- постоянный ток сегмента,
q – скважность импульсов возбуждения ( для фазоимпульсного метода
q = 10).

Страницы