Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

43
электронной лампы:
3
3
2
5
5
2
3
3
2
5
5
2
. .
. .
I
а и Iа q Iа q
Ic
и Ic q Ic q
⋅
⋅
=
=
= ⋅ ⋅
= ⋅ ⋅
Зная анодное напряжение и анодный ток выбираем напряжение питания и
рассчитываем анодное сопротивление:
1
.
VT
U
п Uбэ Uа и
Ra
I
а и
− −
=
Аналогично рассчитываем сопротивление в цепи сетки:
2
.
.
VT
U
п Uбэ Uс и
Rс
I
с и
− −
=
По требуемому току и напряжению выбираем тип транзистора VT1 и VT2.
Ток базы насыщения транзистора VT1 определяем по формуле:
.
I
к Iа и
Iбн
β β
= =
С учетом степени насыщения S равной 2, определяем ток базы:
2
I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Зная ток базы можно определить величину сопротивления в цепи базы:
0
1VT
ВЫХ
Uп Uбэ U
Rб
I
б
− −
=
,
где Uп – напряжение питания,
1
VT
U
бэ
- напряжение база-эмиттер транзистора VT1,
0
ВЫХ
U - выходное напряжение логического нуля.
44
Расчет сеточной цепи аналогичен расчету анодной цепи.
Недостатком приведенной схемы является требование равенства
выходного напряжения логической единицы напряжению питания:
1
ВЫХ
U U
п
≈
Если это условие невозможно обеспечить, то необходимо перейти от
схемы с последовательным ключом (рис.2.4) к схеме с параллельным
ключом (рис.2.5). Принципиальная схема управления вакуумным
люминесцентным индикатором для этого случая приведена на рис.2.9.
Импульсное анодное и сеточное напряжение определяется также как и в
предыдущей схеме рис. 2.8:
2/5
2/5
. .
. .
U
а и Uа q
Uc
и Uc q
= ⋅
= ⋅
Анодный и сеточный импульсные токи также рассчитываются аналогично
схеме, показанной на рис. 2.8:
3
3
2
5
5
2
3
3
2
5
5
2
. .
. .
I
а и Iа q Iа q
Ic
и Ic q Ic q
⋅
⋅
=
=
= ⋅ ⋅
= ⋅ ⋅
Зная ток и напряжение анода, выбираем тип транзистора VT1.
Сопротивление анодной цепи определяется из выражения:
.
.
U
п Uа и
Ra
I
а и
−
=
Ток коллектора транзистора определяем по формуле:
1
VT
U
п Uкэ
Iк
R
а
−
=

Страницы