Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

47
Находим ток базы насыщения транзистора VT1:
I
к
Iбн
β
=
С учетом степени насыщения S равной 2, ток базы будет равен:
2
I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Зная ток базы найдем сопротивление в базовой цепи:
1
1
1
U U
бэ
Rб
I
б
−
=
,
где
1
VT
U
бэ
- напряжение база-эмиттер в режиме насыщения,
1
ВЫХ
U
- выходное напряжение дешифратора в режиме
логической единицы.
Сопротивление в сеточной цепи находится из выражения:
.
.
U
п Uс и
Rс
I
с и
−
=
Ток коллектора транзистора VT2 будет определяться сопротивлением
Rс:
2
.
VT
U
п Uкэ
Iк
I
с и
−
=
Находим ток базы насыщения транзистора VT2:
I
к
Iбн
β
=
С учетом степени насыщения S равной 2, ток базы будет равен:
2
I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
48
Зная ток базы, можно найти сопротивление в цепи базы:
1
2
2
ВЫХ VT
U U
бэ
Rб
I
б
−
=
,
где
2
VT
U
бэ
- напряжение база-эмиттер транзистора VT2в режиме
насыщения,
1
ВЫХ
U
- выходное напряжение дешифратора DD2 в режиме
логической единицы.
При использовании фазоимпульсного способа индикации в анодной
цепи возможно использование только последовательного ключа, в
сеточной цепи можно использовать как последовательный ключ
(рис.2.10), так и параллельный (рис.2.11).
Произведем расчет элементов принципиальной схемы для
последовательного ключа в цепи сетки (рис.2.10). Импульсное
анодное напряжение находиться по формуле:
2/5
. .U
а и Uа q
= ⋅
,
где Uа – постоянное анодное напряжение,
q – скважность импульсов возбуждения.
Импульсный анодный ток находим из выражения:
3
5
. .I
а и Iа q
=
⋅
,
где Iа – постоянный анодный ток одного сегмента индикатора,
q – скважность импульсов возбуждения.
Зная импульсный анодный ток одного сегмента, найдем
максимальный ток коллектора транзистора VT1:
. .
MAX
I
к N Iа и
= ⋅
,
где N – количество индикаторов,
Iа.и. – импульсный анодный ток.

Страницы