Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

51
.
I
к Iс и
Iбн
β β
= =
С учетом степени насыщения S, равной 2, находим ток базы:
2
I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Зная Iб можно найти величину сопротивления в цепи базы:
0
2
2
VT
ВЫХ
Uп Uбэ U
Rб
I
− −
=
,
где Uп – напряжение источника питания,
Uбэ – напряжение база-эмиттер в режиме насыщения,
0
ВЫХ
U
- выходное напряжение логического нуля счетчиков
DD1÷DD4.
Для схемы с параллельным ключом в сеточной цепи (рис.
2.11) расчет выходной цепи не изменяется, поэтому приведем пример
расчета элементов только сеточной цепи. Импульсное напряжение
находим исходя из скважности:
2
5
. .U
с и Uс q
= ⋅
,
где Uс – постоянное напряжение сетки,
q – скважность импульсов возбуждения.
Импульсный сеточный ток также находим исходя из скважности:
3
5
. .I
с и Iс q
= ⋅
Зная сеточный ток и напряжение питания, найдем величину резистора
в сеточной цепи:
. .
. .
U
п Uс и
Rс
I
с и
−
=
Зная Rс, можно найти ток коллектора транзистора VT2:
52
2
VT
U
п Uкэ
Iк
R
с
−
=
Зная ток коллектора и напряжение питания можно выбрать тип
транзистора VT2.
Найдем ток базы насыщения:
I
к
Iбн
β
=
С учетом степени насыщения S, равной 2, найдем ток базы:
2
I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Ток базы должен быть меньше или равен
1
ВЫХ
I
. Зная базовый ток,
можно найти сопротивление в цепи базы:
1
2
2
ВЫХ VT
U U
бэ
Rб
I
б
−
=

Страницы