Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

49
Минимальный импульсный ток коллектора транзистора VT1 равен
импульсному току одного сегмента:
. .
MIN
I
к Iа и
=
Зная импульсное анодное напряжение выбираем напряжение питания
схемы, которое должно превышать Uа.и.. По максимальному току
коллектора и Uп выбираем тип транзистора VT1. Зная ток коллектора
и статический коэффициент β, найдем ток базы насыщения:
MAX
Iк
Iб
β
=
Зная ток базы рассчитываем сопротивление в цепи базы:
0
1
1
VT
ВЫХ
Uп Uбэ U
Rб
I
б
− −
=
Минимальный импульсный ток коллектора транзистора VT1 равен
импульсному току одного сегмента:
. .
MIN
I
к Iа и
=
Зная импульсное анодное напряжение выбираем напряжение питания
схемы, которое должно превышать Uа.и. По максимальному току
коллектора и Uп выбираем тип транзистора VT1. Зная ток коллектора
и статический коэффициент передачи тока β, найдем ток базы
насыщения:
Iк
Iбн
β
=
Для случая, когда на всех индикаторах отображается одна и та же
цифра, выбираем степень насыщения S равной 1, тогда для случая,
когда на индикаторах отображаются разные цифры степень
насыщения S будет равна 4. Отсюда ток базы будет равен:
MAX
Iк
Iб
β
=
50
Зная ток базы, рассчитаем сопротивление в цепи базы:
0
1
1
VT
ВЫХ
Uп Uбэ U
Rб
I
б
− −
=
,
где Uп – напряжение питания,
Uбэ – напряжение база-эмиттер транзистора VT1 в режиме
насыщения,
0
ВЫХ
U
– выходное напряжение логического нуля дешифратора
DD5.
Переходим к расчету сеточной цепи. Импульсное сеточное
напряжение определяется аналогично анодному:
2/5
. .U
с и Uс q
= ⋅
,
где Uс – постоянное сеточное напряжение,
q – скважность импульсов возбуждения.
Импульсный сеточный ток равен:
3
5
. .I
с и Iс q
=
⋅
,
где Iс – постоянный ток сетки,
q – скважность импульсов возбуждения.
Ток сетки является коллекторным током транзистора VT2. Зная ток
коллектора и напряжение питания выбираем тип транзистора VT2.
Затем рассчитываем резистор в цепи сетки Rс:
2
. .
. .
VT
U
п Uкэ Uс и
Rс
I
с и
− −
=
,
где Uп – напряжение питания,
Uкэ – напряжение коллектор-эмиттер транзистора VT2 в
режиме насыщения,
Uс.и. – импульсное напряжение на сетке.
Зная ток коллектора, найдем ток базы насыщения:

Страницы