Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 46 стр.

UptoLike

91
Расчет элементов принципиальной схемы не отличается от
расчета схемы, показанной на рис.5.9, за исключением базового
резистра R
2б
:
R
2б
=
б
выхбэVTиRкэVTп
I
UUUUUU
0
211
где
U
п
- напряжение питания,
U
и
- импульсное напряжения на сегменте индикатора,
U
кэ
- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения,
U
0
вых
- выходное напряжение счетчика низкого уровня,
U
бэ
- напряжение база-эмиттер в режиме насыщения,
U
1R
- напряжение на резисторе R1.
Общий провод индикатора можно подключить не только к
минусу источника питания но и к плюсу. Принципиальная схема
управления в этом случае для 4
х
индикаторов показана на рисунке
5.11. Расчет элементов принципиальной схемы начинаем с
определения импульсного тока и напряжения :
I
и
= I
ном
•q
2
1
,
U
и
= U
ном
•q
2
1
где qскважность импульсов возбуждения,
I
ном
- номинальный ток сегмента индикатора,
U
ном
- номинальное напряжение сегмента индикатора.
Импульсный ток через сегмент индикатора задается резистором
R1, который находиться из выражения:
R1=
и
кэVTикэVTп
I
UUUU
21
где U
п
напряжение питания,
92
U
кэ
напряжение коллекторэмиттер транзистора в режиме
насыщения,
U
и
импульсное напряжение на сегменте индикатора при
протекании I
и
.
Через транзистор VT1 будет течь суммарный ток одноименных
сегментов всех индикаторов, поэтому:
I
1
к
VT
= N•I
и
где N- количество индикаторов (в нашем случае N=4),
I
и
- импульсный ток одного сегмента индикатора.
По требуемым параметрам Iк и Uп выбираем тип транзистора
транзистора VT1. При выборе типа транзистора необходимо учесть
бросок тока при включении холодной нити, который в 2÷3 раза
превышает номинальный. Поэтому ток коллектора выбранного
транзистора должен в 2÷3 раза превышать расчетное значение. Зная
его статический коэффициент передачи β определяем Iбн:
I
к
Iбн
β
=
Т.к. ток коллектора может изменяться от Iи до 4Iи, то степень
насыщения транзистора S выбираем равным 1, для максимального
тока коллектора и соответственно для минимального Iк степень
насыщения транзистора будет равна 4. Отсюда:
I
б
= I
..
нб
=
β
и
I
4
Выходной ток дешифратора должен быть больше или равен
току базы:
I
1
вых
I
б
Зная ток базы и выходные параметры дешифратора DD6
определим сопротивление Rб1: