Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

87
Зная импульсный ток сегмента можно определить величину
резистора R1:
R1=
и
кэVTикэVTп
I
UUUU
21
−
−
−
где Uп – напряжение питания,
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора в режиме
насыщения,
Uи– импульсное напряжение на сегменте индикатора при
протекании Iи.
Через транзистор VT1 будет течь суммарный ток одноименных
сегментов всех индикаторов, поэтому:
I
1кVT
= N•I
и
где N- количество индикаторов (в нашем случае N=4),
I
и
- импульсный ток одного сегмента индикатора.
По требуемым параметрам Iк и Uп выбираем тип транзистора
транзистора VT1. При выборе типа транзистора необходимо учесть
бросок тока при включении холодной нити, который в 2÷3 раза
превышает номинальный. Поэтому ток коллектора выбранного
транзистора должен в 2÷3 раза превышать расчетное значение. Зная
его статический коэффициент передачи β определяем Iбн:
I
к
Iбн
β
=
Для фазоимпульсного метода индикации степень насыщения
транзистора S будет изменяться от единицы (при отображении
одинаковых цифр всеми индикаторами) до 4 (при отображении
разных цифр). Поэтому:
I
б Iбн
=
Зная ток базы рассчитываем базовый резистор:
R
1б
=
б
кэVTиRбэVTп
I
UUUUU
211
−
−
−
−
88
где
U
п
- напряжение питания,
U
и
- импульсное напряжения на сегменте индикатора,
U
кэ
- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения,
I
и
- импульсный ток сегмента индикатора,
U
бэ
- напряжение база-эмиттер в режиме насыщения,
U
1R
- напряжение на резисторе R1.
Через транзистор VT2 течет суммарный ток всех сегментов
индикатора, поэтому:
I
к
=7•I
и
Зная максимальный выходной ток I
1
вых
инвертора DD7, можно
определить минимальное значение статического коэффициента
передачи тока β:
1
I
к
S
I
β
= ⋅
,
где S – степень насыщения транзистора VT2.
По требуемым параметрам Iк, β, Uп выбираем транзистор VT2.
При выборе типа транзистора необходимо учесть бросок тока при
включении холодной нити, который в 2÷3 раза превышает
номинальный. Поэтому ток коллектора выбранного транзистора
должен в 2÷3 раза превышать расчетное значение. Исходя из
требуемого тока базы определяем Rб2:
1
2
2
ВЫХ VT
U U
бэ
Rб
I
б
−
=
Если при расчете сопротивление R
1б
оказывается
отрицательным, то нужно использовать другую схему управления с
транзистором структуры p-n-p (рис.5.10).

Страницы