Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 43 стр.

UptoLike

85
Ток базы VT2 должен быть меньше или равен выходному току
дешифратора:
1
2VT
ВЫХ
I
б I
Определим требуемое β с учетом степени насыщения S:
2
2
VT
I
к
I
б
β
=
По известным параметрам Iк, Uп и β выбираем тип транзистора. При
выборе типа транзистора также необходимо учесть бросок тока при
включении холодной нити, который в 2÷3 раза превышает
номинальный. Поэтому ток коллектора выбранного транзистора
должен в 2÷3 раза превышать расчетное значение. Определим
сопротивление в цепи базы VT2:
R
2б
=
б
кэVTибэVTвых
I
UUUU
12
1
Таким образом мы рассчитали все элементы принципиальной схемы.
Если величина резистора R
2б
в приведенной выше формуле
получается отрицательной, то необходимо использовать транзистор
VT2 структуры p-n-p. (рис.5.8.)
Расчет элементов принципиальной схемы, представленной на
рис.5.8 аналогичен расчету элементов принципиальной схемы,
показанной на рис.5.7. Исключение составляет R
2б
, которое
определяется из выражения:
R
2б
=
б
выхбэVTп
I
UUU
0
2
86
Рис.5.8. Принципиальная схема управления 4
х
разрядным
вакуумным накаливаемым индикатором при подключении общего
вывода индикатора к положительному выводу источника питания
при поразрядном методе индикации
Фазоимпульсный метод индикации. Принципиальная схема
управления вакуумными накаливаемыми индикаторами для
фазоимпульсного метода индикации при подключении общего
вывода индикатора к минусу источника питания представлена на
рис.5.9. Для фазоимпульсного метода индикации скважность всегда
равна 10. Расчет элементов принципиальной схемы начинаем с
определения импульсного тока и напряжения:
I
и
= I
ном
•q
2
1
,
U
и
= U
ном
•q
2
1
где qскважность импульсов возбуждения,
I
ном
- номинальный ток сегмента индикатора,
U
ном
- номинальное напряжение сегмента индикатора.