ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
81
При выборе типа транзистора для схемы управления
необходимо учесть бросок тока при включении холодной нити,
который в 2÷3 раза превышает номинальный. Поэтому ток
коллектора выбранного транзистора должен в 2÷3 раза превышать
импульсный ток сегмента индикатора. Зная требуемые Iк, Uп и Iб
выбираем тип транзистора VT1.
Для выбора транзистора VT2 определим требуемые
параметры, которые он должен обеспечить. Во первых, найдем ток
коллектора, который состоит из суммы импульсных токов всех
сегментов:
I
2кVT
=7•I
и
Определим β исходя из максимального выходного тока дешифратора
и степени насыщения VT2:
2
1
VT
ВЫХ
I
к
S
I
β
= ⋅
При выборе типа транзистора также необходимо учесть
бросок тока при включении холодной нити, который в 2÷3 раза
превышает номинальный. Поэтому ток коллектора выбранного
транзистора должен в 2÷3 раза превышать расчетное значение. Зная
Uп, Iк и β выбираем транзистор VT2.
Определим сопротивление R
Б2
:
1
2
2
VT
Б
U
вых Uбэ
R
I
б
−
=
Если для отображения информации требуется другое
количество индикаторов, то вместо q = 4 выбираем другое значение q.
82
Рис.5.6. Принципиальная схема управления 4
х
-разрядным
вакуумным накаливаемым индикатором при подключении общего
вывода индикатора к отрицательному выводу источника
питания для поразрядного метода индикации
Общий вывод индикатора можно подключить не только к
отрицательному выводу источника питания, но и к плюсовому.
Принципиальная схема управления 4
х
– разрядным вакуумным
накаливаемым индикатором для этого случая при поразрядном
методе индикации приведена на рис .5.7.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
