Расчет схем управления дискретными индикаторами. Солдатов А.И - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

79
При выборе типа транзистора для схемы управления
необходимо учесть бросок тока при включении холодной нити,
который в 2÷3 раза превышает номинальный. Поэтому ток
коллектора выбранного транзистора должен в 2÷3 раза превышать
номинальный ток сегмента индикатора. Расчет схемы управления для
остальных разрядов аналогичен приведенному выше.
Статический импульсный режим работы индикаторов
При работе индикаторов в статическом импульсном режиме,
принципиальные схемы включения остаются без изменения, однако в
расчетах необходимо вместо постоянного тока и напряжения I
ном
и
U
ном
использовать импульсный ток и напряжение: I
и
и U
и
которые
определяются из выражения:
I
и
= I
ном
•q
2
1
U
и
= U
ном
•q
2
1
где: q – скважность импульсов возбуждения индикатора,
I
ном
- номинальный ток сегмента индикатора,
U
ном
- номинальное напряжение сегмента индикатора.
Динамический режим работы индикаторов.
При работе индикаторов в динамическом режиме возможны
два способа индикации: поразрядный и фазоимпульсный.
Поразрядный метод индикации. Принципиальная схема
управления индикаторами для поразрядного способа индикации
приведена на рисунке 5.6.
Расчет элементов схемы начинаем с определения
импульсного тока и напряжения :
I
и
= I
ном
•q
2
1
,
U
и
= U
ном
•q
2
1
где: q – скважность импульсов возбуждения индикатора,
80
I
ном
- номинальный ток сегмента индикатора,
U
ном
- номинальное напряжение сегмента индикатора.
Зная импульсный ток сегмента можно найти токоограничительные
резисторы R1 ÷ R7:
R1=
и
кэVTикэVTп
I
UUUU
21
−
−
−
где
U
п
- напряжение питания,
U
и
- импульсное напряжения на сегменте индикатора,
U
кэ
- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения,
I
и
- импульсный ток сегмента индикатора.
Ток коллектора VT1 равен импульсному току сегмента: I
к
= I
и
Находим ток базы насыщения:
I
бн
=
β
к
I
=
β
и
I
Ток базы VT1 с учетом степени насыщения S транзистора,
определяем по выражению:
2I
б S Iбн Iбн
= ⋅ = ⋅
Зная ток базы VT1 находим резистор R
б
:
R
б
=
б
икэ
VTR
бэ
VT
п
I
UUUUU
−
−
−
−
211
где
U
п
- напряжение питания,
U
и
- импульсное напряжение на сегменте индикатора,
U
кэ
- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения,
I
и
- импульсный ток сегмента индикатора,
U
бэ
- напряжение база-эмиттер в режиме насыщения,
U
1R
- напряжение на резисторе R1.

Страницы