ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
77
0
U
вых
- выходное напряжение низкого уровня
дешифратора DD2,
I
ном
- номинальный ток черех сегмент индикатора.
Рис.5.4. Схема управления семисегментным вакуумным
накаливаемым индикатором в статическом режиме работы
Для учета броска тока холодной нити максимальный выходной
ток дешифратора должен удовлетворять условию:
I
1
.махвах
≥ (2÷3)•I
ном
,
Если ток сегмента превышает выходной ток дешифратора, то
необходимо применить транзисторный усилитель (рис. 5.5.).
Рис.5.5. Схема включения вакуумного накаливаемого индикатора с
формирователями тока в статическом режиме работы
Сопротивления R
1к
÷R
7к
определяются из выражения:
78
R
к
=
ном
кэномп
I
UUU
−
−
где
U
п
- напряжение питания,
U
ном
- номинальное напряжения на сегменте индикатора,
U
кэ
- напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения,
I
ном
- номинальный ток сегмента индикатора.
Ток базы насыщения транзистора определяется из тока коллектора:
I
бн
=
β
к
I
=
β
ном
I
Ток базы транзистора определяется с учетом степени насыщения S:
I
б S Iбн
= ⋅
Выбираем степень насыщения S равной 2:
2I
б Iбн
= ⋅
Зная
1
U
вых
дешифратора можно найти сопротивление в цепи базы
транзистора:
1
U
вых Uбэ
Rб
I
б
−
=
Сопротивление нагрузки определяем из условия:
I
1
вых
= I
б
+I
нR
где I
1
вых
- выходной ток дешифратора при единичном выходном
уровне,
I
нR
- ток через R
н
.
Отсюда находим R
н
:
R
н
=
бвых
вых
II
U
−
1
1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
